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3D存儲芯片
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3D內存芯片是通過3D封裝技術，將多層DRAM堆疊而成的新型內存。3D內存芯片能提供很高的內存容量和內存帶寬，其中混合內存立方體（Hybrid Memory Cube）和高帶寬內存（High Bandwidth Memory）是兩種新型的3D內存技術 [1] 。 其中混合內存立方體，由美光公司提出，與CPU的數據傳輸速度將是現階段內存技術的10倍以上，以便適應高速發展的處理器和寬帶網絡。