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自適應曝光電路
自適應曝光電路
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從硬件結構、曝光策略和模擬結果入手，在傳統滾筒式曝光基礎上，通過對用戶設定區域像素飽和值的統計和曝光時間選擇算法，提出了一種CMOS圖像傳感器大動態范圍自適應曝光的設計。曝光時間可從1μs至65ms，探測光強范圍達到10-1～106lux，設計將充分發揮現有像素性能，實現快速實時的自適應曝光需求。