用于平板和智能手機的雙端口充電器參考設計方案


雙端口充電器參考設計方案:平板與智能手機高效快充技術解析
在移動設備普及的今天,平板與智能手機已成為人們日常生活的核心工具。隨著設備性能的提升和電池容量的增加,用戶對充電效率、兼容性和安全性的需求日益增長。雙端口充電器作為解決多設備充電需求的解決方案,其設計需兼顧高功率密度、協議兼容性和安全保護機制。本文基于行業前沿技術,結合典型元器件選型與電路架構,提出一套適用于平板與智能手機的雙端口快充參考設計方案,涵蓋核心元器件選型、電路拓撲、協議控制及安全設計等關鍵環節。
一、設計需求與性能指標
1.1 核心需求分析
多設備兼容性:需支持主流快充協議(如USB PD、QC、FCP、SCP等),適配不同品牌平板與手機。
功率分配策略:單口充電時需提供最大功率(如65W),雙口同時充電時需動態分配功率(如45W+45W或65W+20W)。
安全與效率:需具備過壓、過流、短路保護及高能效(滿載效率>93%)。
小型化設計:需適配墻插式充電器,體積控制在標準范圍內。
1.2 性能指標
輸入范圍:85VAC-265VAC(全球通用電壓)。
輸出規格:
單口:5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A(65W)。
雙口:每口最大45W,總功率90W。
能效要求:滿載效率>93%,空載功耗<100mW。
協議支持:USB PD 3.0/PPS、QC 4+/4/3.0、FCP、SCP、AFC、Apple 2.4A等。
二、核心元器件選型與功能解析
2.1 主控芯片:InnoSwitch5-Pro
型號:InnoSwitch5-Pro(PI公司)
功能:集成750V PowiGaN?開關、同步整流控制器和FluxLink?反饋技術。
選型理由:
高頻高效:支持225kHz開關頻率,減少變壓器體積。
低損耗:氮化鎵(GaN)技術降低導通電阻(0.2Ω),提升能效。
安全保護:內置滯回式熱關斷、輸出短路保護及輸入欠壓/過壓檢測。
協議兼容:通過I2C接口與PD控制芯片通信,實現CV/CC/CP精確控制。
典型應用:
在OPPO 100W雙口充電器中,兩顆InnoSwitch5-Pro芯片分別驅動兩路反激式電源,每路輸出45W,實現雙口獨立快充。
2.2 PD控制芯片:IP2738
型號:IP2738(英集芯科技)
功能:雙路協議控制芯片,支持PD 3.0/PPS、QC 4+/4等協議。
選型理由:
動態功率分配:通過I2C接口與主控芯片通信,實現電流共享管理。
多協議支持:兼容主流快充協議,適配不同品牌設備。
保護機制:內置過壓、過流、短路保護,確保充電安全。
典型應用:
在90W雙口USB PD 3.0充電器中,IP2738通過“或”門電路防止反向電流,確保雙口獨立工作。
2.3 同步整流芯片:DK5V100R05M
型號:DK5V100R05M(東科)
功能:集成100V功率NMOS管,替代肖特基二極管。
選型理由:
低損耗:導通電阻小,降低整流損耗,提升整機效率。
高集成度:僅需A、K兩引腳,簡化電路設計。
高可靠性:通過UL認證,適用于工業級應用。
典型應用:
在京東京造18W PD快充中,DK5V100R05M被用于次級整流,提升能效并減少發熱。
2.4 升降壓控制器:SC8701
型號:SC8701(南芯科技)
功能:同步4開關降壓升壓控制器,支持2.7V-36V輸入/輸出范圍。
選型理由:
寬電壓范圍:適配不同輸入電壓(如12V/20V適配器)。
高效率:驅動器電壓10V,優化外部MOSFET效率。
多協議支持:與PD控制芯片配合,實現動態電壓調整。
典型應用:
在100W雙口超級閃充中,SC8701被用于輸出同步整流升降壓,確保多設備兼容性。
2.5 氮化鎵功率器件:INN650D02
型號:INN650D02(英諾賽科)
功能:650V耐壓氮化鎵功率芯片,導阻0.2Ω。
選型理由:
高頻特性:支持225kHz開關頻率,減少變壓器體積。
低損耗:導通電阻小,提升能效并降低發熱。
高可靠性:支持ESD保護,適用于工業級應用。
典型應用:
在100W雙口超級閃充中,INN650D02被用于PFC升壓電路,提升能效并減少待機功耗。
三、電路架構與工作原理
3.1 輸入整流與EMI濾波
橋式整流器:將交流電轉換為脈動直流電(如TBMR810,8A/1000V)。
π型濾波器:由電感和電容組成,抑制差模噪聲。
共模扼流圈:減少共模噪聲,提升EMC性能。
X電容:安全級X電容(如松田電子產品),降低傳導發射。
3.2 PFC升壓電路
PFC控制器:如OB6566(昂寶),運行在臨界模式,提升功率因數。
升壓電感:采用RM8磁芯,嚴密纏繞膠帶絕緣。
高壓濾波電容:如艾華RK系列(33μF/400V),確保穩定輸出。
3.3 反激式電源電路
主控芯片:如InnoSwitch5-Pro,集成高壓GaN開關和同步整流控制器。
變壓器:多層絕緣線繞制,外部有塑料框架保護。
同步整流MOSFET:如英飛凌0805LS(7mΩ),降低導通損耗。
3.4 輸出濾波與協議控制
固態電容:如柏瑞凱VA系列(470μF/25V),提升輸出紋波性能。
協議芯片:如IP2738,通過I2C接口與主控芯片通信,實現動態功率分配。
VBUS控制開關管:如平偉電子D40N30HL,控制輸出電壓和電流。
四、安全與保護機制
4.1 過壓保護(OVP)
齊納二極管:在輸出過壓時觸發自動重啟,防止電壓進一步升高。
限流電阻:與齊納二極管配合,限制過壓電流。
4.2 過流保護(OCP)
電流檢測電阻:實時監測輸出電流,觸發保護機制。
協議芯片控制:如IP2738,通過I2C接口與主控芯片通信,實現精確限流。
4.3 短路保護(SCP)
快速響應電路:在輸出短路時立即切斷電源,防止設備損壞。
自動重啟功能:短路解除后自動恢復輸出,提升用戶體驗。
4.4 過溫保護(OTP)
NTC熱敏電阻:監測充電器溫度,觸發熱關斷保護。
滯回式控制:避免溫度波動導致的頻繁開關。
五、典型應用案例與性能測試
5.1 90W雙口USB PD 3.0充電器
設計特點:單口90W,雙口45W+45W,效率>93.5%。
測試數據:
輸入電壓115VAC時,滿載效率93.8%。
空載功耗95mW,符合DOE 6和CoC Tier 2能效要求。
輸出電壓紋波<100mV,符合國家標準。
5.2 100W雙口超級閃充
設計特點:單口65W,雙口45W+50W,支持PD 3.0/PPS。
測試數據:
溫度控制:滿載時外殼溫度<65℃。
協議兼容性:通過主流設備兼容性測試。
效率曲線:不同負載條件下效率>92%。
六、設計優化與未來趨勢
6.1 優化方向
小型化設計:采用高頻GaN技術,減少變壓器體積。
高集成度:集成降壓控制器和協議芯片,簡化電路設計。
智能功率分配:根據設備需求動態調整功率,提升充電效率。
6.2 未來趨勢
USB PD 3.1:支持更高功率(如240W),適配筆記本電腦等設備。
無線充電集成:雙口充電器與無線充電模塊結合,提升用戶體驗。
AI控制:通過機器學習優化功率分配,提升能效和安全性。
七、結論
本文提出的雙端口充電器參考設計方案,結合InnoSwitch5-Pro、IP2738、DK5V100R05M等核心元器件,實現了高功率密度、多協議兼容性和安全保護機制。通過實際案例測試,驗證了其在效率、兼容性和可靠性方面的優勢。未來,隨著GaN技術和USB PD 3.1的普及,雙端口充電器將進一步向小型化、智能化方向發展,滿足用戶對高效快充的需求。
責任編輯:David
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