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MOS管型號選擇有什么注意事項

來源:
2024-11-13
類別:基礎(chǔ)知識
eye 16
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

在選擇MOS管型號時,需要注意以下幾個關(guān)鍵方面:

一、確定溝道類型

  • NMOS與PMOS的選擇:在低壓側(cè)開關(guān)中,NMOS因其導(dǎo)通電阻小、發(fā)熱量低、允許通過的電流大等特點,通常被優(yōu)先考慮。而在高壓側(cè)開關(guān)中,可能需要考慮電壓驅(qū)動的問題,此時PMOS可能更為合適。此外,從成本和便利性上看,N溝道MOSFET的型號選擇多,物料成本低;而P溝道MOSFET的型號選擇較少,物料成本高。

二、電壓與電流要求

  • 額定電壓:需確定MOS管所能承受的最大電壓(Vds),這通常與工作溫度環(huán)境有關(guān)。額定電壓越大,器件成本也越高。因此,在選擇時需要根據(jù)實際工作電壓留有一定的余量。

  • 額定電流:需考慮MOS管所能承受的最大電流(Id),這反映了其帶負(fù)載能力。在選擇時,必須計算導(dǎo)通損耗(即確定Rds(on)),并考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流,確保MOS管能夠承受最大的電流值。

三、熱要求

  • 散熱設(shè)計:需計算系統(tǒng)的散熱要求,器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上(熱阻乘以功率耗散)。不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。

四、開關(guān)性能

  • 開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用場景需要的開關(guān)速度,選擇MOS管的恢復(fù)時間、開啟時間和關(guān)閉時間。高速MOS管具有極短的開關(guān)時間和低的開關(guān)損耗,能夠支持更高的工作頻率和更復(fù)雜的信號處理算法。

  • 寄生電容與柵電荷:寄生電容(如Ciss、Coss、Crss)和柵電荷(如Qg、Qgd、Qoss)會影響MOS管的開關(guān)性能。這些電容在工作時重復(fù)充放電會產(chǎn)生開關(guān)損耗,導(dǎo)致MOSFET開關(guān)速度下降,效率降低。因此,在選擇時需要關(guān)注這些參數(shù),并盡量選擇較小的值。

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五、封裝類型

  • 插件式與貼片式:根據(jù)電路板的布局和空間要求,選擇合適的封裝類型。插件式封裝常見類型有-220、-251等,貼片式封裝常見類型有-252、-263等。對于空間要求較高的電路板,可以選擇貼片式封裝的MOS管;反之,則可以選擇插件式封裝的MOS管。

六、品牌與價格

  • 品牌選擇:不同品牌的MOS管在性能、可靠性和價格方面存在差異。因此,在選擇時需要綜合考慮品牌和價格等因素,選擇性價比較高的MOS管。

  • 成本預(yù)算:在選型時需要根據(jù)實際需求和成本預(yù)算進(jìn)行權(quán)衡。例如,高功率MOS管雖然性能優(yōu)越,但價格也可能較高;而低功耗MOS管雖然價格相對較低,但可能無法滿足某些高性能要求。

七、其他參數(shù)

  • 柵極閾值電壓(Vth):需結(jié)合電路需求選擇合適的閾值電壓。閾值電壓越高,抗干擾性能越強,可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發(fā)。

  • 漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on)):Rds(on)與導(dǎo)通損耗直接相關(guān),RDSON越小,功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。但Rds(on)低的MOSFET通常成本比較高,可以通過優(yōu)化驅(qū)動電路、改進(jìn)散熱等方式來選用Rds(on)較大一些的的低成本器件。

綜上所述,在選擇MOS管型號時,需要綜合考慮溝道類型、電壓與電流要求、熱要求、開關(guān)性能、封裝類型、品牌與價格以及其他相關(guān)參數(shù)。通過全面評估這些因素,可以選擇出最適合自己應(yīng)用需求的MOS管型號。


責(zé)任編輯:Pan

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標(biāo)簽: MOS管型號

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