ADI ADR4525BRZ-R7電壓基準芯片中文資料


ADI ADR4525BRZ-R7電壓基準芯片中文資料
一、型號與類型
ADI(亞德諾半導體)的ADR4525BRZ-R7是一款高精度、低功耗、低噪聲的電壓基準芯片。該芯片屬于ADR45xx系列,是ADI在電壓基準技術領域的杰出產品之一。ADR4525BRZ-R7以其卓越的性能和廣泛的應用領域,在精密測量、數據采集、數據轉換等多個領域受到高度認可。
廠商名稱:ADI
元件分類:電壓基準芯片
中文描述: 電壓基準IC,2ppm/°C,2.5V,0.02%,系列,NSOIC-8,-40°C至125°C
英文描述: Ultra-Low-Noise,High-Accuracy 2.5V Voltage Reference
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ADR4525BRZ-R7概述
ADR4525是高精度、低功耗、低噪聲的電壓基準,具有最大初始誤差、出色的溫度穩定性和低輸出噪聲。該電壓基準采用創新的核心拓撲結構,以實現高精度,同時提供行業領先的溫度穩定性和噪聲性能。器件的低熱誘導輸出電壓滯后和低長期輸出電壓漂移也提高了系統在時間和溫度變化中的準確性。950μA的最大工作電流和300 mV的最大低壓差,使該器件在便攜式設備中能夠很好地發揮作用。應用包括精密數據采集系統、高分辨率數據轉換器、高精度測量設備、工業儀表和醫療設備。
輸入電壓范圍:3V到15V
輸出電流為+10mA(源電流)/-10mA(灌電流)
低靜態電流為950μA(最大值)
輸出電壓噪聲為1.25μV p-p(0.1Hz至10.0Hz)
輸出電壓為2.5V
初始輸出電壓誤差為±0.02%(最大)
在-40°C<=TA<=+125°C時,溫度系數最大為2ppm/°C(箱式法)
在-40°C<=TA<=+125°C,IL=2mA時,壓差電壓為500mV
紋波抑制率在fIN=1KHz時為90dB
8引腳SOIC
N封裝,-40°C至+125°C溫度范圍
ADR4525BRZ-R7中文參數
制造商: | Analog Devices Inc. | 最小工作溫度: | - 40 ℃ |
產品種類: | 電壓基準芯片 | 最大工作溫度: | + 125 ℃ |
安裝風格: | SMD/SMT | 系列: | ADR4525 |
封裝 / 箱體: | SOIC-8 | 準確性: | 120 ppm/mA |
參考類型: | Series Precision References | 高度: | 1.5 mm |
輸出電壓: | 2.5 V | 輸入電壓: | 3 V to 15 V |
初始準確度: | 0.0002 | 長度: | 5 mm |
溫度系數: | 2 PPM / C | 負載調節: | 120 ppm/mA |
串聯VREF—輸入電壓—最大值: | 15 V | 工作電源電流: | 700 uA |
分流電流—最大值: | 10 mA | 輸出電流: | 10 mA |
ADR4525BRZ-R7引腳圖
二、工作原理
ADR4525BRZ-R7電壓基準芯片采用創新的內核拓撲結構,通過精密的電路設計和先進的制造工藝,實現了高精度、低噪聲和出色的溫度穩定性。其工作原理主要基于帶隙基準電壓源技術,通過兩個具有不同溫度系數的雙極型晶體管(BJT)產生基準電壓,并利用運算放大器進行閉環調節,確保輸出電壓的穩定性和精度。
在ADR4525BRZ-R7中,內置的低噪聲功率放大器進一步降低了輸出電壓的噪聲水平,提升了整體性能。同時,芯片內部的溫度補償電路能夠自動調整輸出電壓,以抵消溫度變化對基準電壓的影響,確保在各種環境條件下都能提供穩定的基準電壓。
三、特點
高精度:ADR4525BRZ-R7的最大初始誤差僅為±0.02%,在-40℃到+125℃的溫度范圍內,其輸出誤差也僅為15ppm,這得益于其創新的內核拓撲結構和精密的制造工藝。
高穩定性:通過溫度補償、噪聲濾波等多種技術手段,ADR4525BRZ-R7實現了高穩定性的輸出。即使在低功耗等工作狀態下,也能保持清晰的輸出電壓,滿足高精度應用的需求。
低噪聲:芯片內部集成了低噪聲功率放大器,使得輸出電壓的噪聲水平顯著降低。在0.1Hz至10Hz的頻率范圍內,其輸出噪聲僅為1.25μVp-p,非常適合對噪聲敏感的應用場景。
低功耗:ADR4525BRZ-R7的最大工作電流僅為950μA,最大低壓差低至300mV,這使得它在便攜式設備等低功耗應用中具有顯著優勢。
寬輸入電壓范圍:該芯片的輸入電壓范圍為1.8V至18V(部分資料提到3V至15V或16V),適用于多種應用場景。
小尺寸:ADR4525BRZ-R7采用8引腳SOIC封裝,體積小、重量輕,易于嵌入各種電路中。
溫度范圍廣:其額定溫度范圍為-40°C至+125°C,適用于廣泛的工業和環境溫度條件。
四、應用
ADR4525BRZ-R7憑借其高精度、高穩定性、低噪聲和低功耗等特點,在多個領域具有廣泛的應用前景。主要包括:
精密數據采集系統:在需要高精度數據采集的場合,ADR4525BRZ-R7作為基準電壓源,能夠確保數據采集的準確性和可靠性。
高分辨率數據轉換器:在模數轉換器(ADC)和數模轉換器(DAC)等高精度數據轉換電路中,ADR4525BRZ-R7提供穩定的基準電壓,有助于提高轉換精度和性能。
高精度測量器件:在萬用表、示波器、頻譜分析儀等高精度測量儀器中,ADR4525BRZ-R7作為內部基準電壓源,能夠提升測量精度和穩定性。
工業儀器儀表:在工業自動化、過程控制等領域,ADR4525BRZ-R7可用于各種儀器儀表中,提供穩定的基準電壓,確保測量和控制的準確性。
醫療設備:在心電圖機、血壓計、血糖儀等醫療設備中,ADR4525BRZ-R7的高精度和低噪聲特性有助于提升醫療設備的測量精度和可靠性。
汽車電池監控:在汽車電池管理系統中,ADR4525BRZ-R7可用于監測電池電壓,確保電池狀態的準確判斷和及時維護。
五、參數
以下是ADR4525BRZ-R7的主要參數:
品牌:ADI(亞德諾)
產品分類:電壓基準芯片
工作溫度:-40℃至+125℃
安裝類型:SMT(表面貼裝技術)
封裝/外殼:SOIC-8(8引腳小外形集成電路封裝)
輸出電壓:2.5V(固定)
長x寬/尺寸:4.90mm x 3.90mm(典型)
初始精度:±0.02%(典型值)
溫度漂移:15ppm/°C(最大值)
輸出噪聲:1.25μVp-p(0.1Hz至10Hz)
工作電流:950μA(最大值)
低壓差(Dropout Voltage):300mV(最大值)
輸入電壓范圍:1.8V至18V(或根據具體資料,可能為3V至15V/16V)
長期穩定性:±10ppm/1000小時(典型值)
線性調整率:低(具體值需參考數據手冊)
負載調整率:低(具體值需參考數據手冊)
六、詳細性能分析
高精度與低溫度漂移:ADR4525BRZ-R7的高精度和低溫度漂移特性,使其能夠在寬溫度范圍內提供極其穩定的基準電壓。這對于需要高精度測量的應用來說至關重要,因為它確保了測量結果的準確性和可靠性。
低噪聲設計:芯片內部的低噪聲功率放大器顯著降低了輸出電壓的噪聲水平,這對于需要高信噪比的應用場景尤為重要。例如,在精密測量和數據轉換中,低噪聲基準電壓能夠減少外部噪聲對測量結果的干擾,提高測量精度。
低功耗與高效能:盡管ADR4525BRZ-R7在提供高精度和低噪聲性能的同時,其功耗卻相對較低。這使得它在便攜式設備、電池供電系統等低功耗應用中具有顯著優勢。低功耗不僅延長了設備的續航時間,還減少了能源消耗,符合現代電子產品的綠色設計理念。
寬輸入電壓范圍:ADR4525BRZ-R7支持較寬的輸入電壓范圍,這使得它能夠適應不同電源環境下的應用需求。無論是在低電壓還是高電壓供電系統中,該芯片都能穩定工作,提供可靠的基準電壓輸出。
小型化封裝:采用8引腳SOIC封裝,ADR4525BRZ-R7具有體積小、重量輕的特點。這便于工程師在設計電路時節省空間,同時也有利于實現電路的集成化和模塊化設計。
七、設計考慮與注意事項
電源去耦:為了確保ADR4525BRZ-R7的穩定工作,建議在輸入電源端添加適當的去耦電容。這有助于減少電源噪聲對基準電壓輸出的影響,提高系統的穩定性和可靠性。
布局與布線:在PCB設計中,應注意將ADR4525BRZ-R7放置在靠近其負載的位置,并盡量減少布線長度和走線阻抗。同時,應避免將基準電壓輸出線與高噪聲信號線平行布置,以減少相互干擾。
溫度影響:盡管ADR4525BRZ-R7具有優異的溫度穩定性,但在極端溫度條件下仍需注意其性能變化。在設計過程中,應充分考慮工作環境溫度對基準電壓輸出的影響,并采取相應的措施進行補償或調整。
靜電防護:在處理ADR4525BRZ-R7等精密電子元件時,應注意防止靜電放電(ESD)對芯片造成損害。建議使用防靜電包裝和工具進行操作,并遵循相關的靜電防護規范。
八、總結
ADR4525BRZ-R7作為一款高精度、低功耗、低噪聲的電壓基準芯片,在精密測量、數據采集、數據轉換等多個領域具有廣泛的應用前景。其卓越的性能和穩定的表現使得它成為工程師們在設計高精度電路時的首選之一。通過深入了解ADR4525BRZ-R7的工作原理、特點、應用以及詳細參數等信息,我們可以更好地利用這款芯片來提升產品的性能和可靠性。
責任編輯:David
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