意法半導體M24C64-WMN6TP EEPROM存儲器中文資料

一、型號與類型

M24C64-WMN6TP是由意法半導體（STMicroelectronics）生產的一款EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）存儲器。EEPROM是一種非易失性存儲器，具有在掉電后數據不丟失的特性，廣泛應用于需要長期保存數據的電子設備中。M24C64-WMN6TP具體型號中，“M24C64”表示這是一個64Kbit（即8K x 8位）的EEPROM存儲器，而“-WMN6TP”則可能是該產品的特定封裝或版本標識。

　　廠商名稱：ST意法半導體

　　元件分類：EEPROM存儲器

　　中文描述： EEPROM存儲器，64Kbit，I2C接口SOIC封裝，8引腳+85°C，900ns4.9mm-40°C

　　英文描述： EEPROM Serial-I2C 64K-bit 8K x 8 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R

　　數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k01-36762885-M24C64-WMN6TP.html

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　　M24C64-WMN6TP概述

　　M24C64-WMN6P是一款64kbit，兼容l?C，EEPROM(電可擦除可編程存儲器)，被組成為8k x 8位.可以在2.5至5.5V的電源電壓下工作.

　　隨機與順序讀取模式

　　整個存儲陣列具有寫入保護

　　增強靜電/閉鎖保護

　　超過400萬寫入周期

　　數據保留超過200年

　　應用

　　計算機和計算機周邊

　　M24C64-WMN6TP中文參數 ?

 　　M24C64-WMN6TP引腳圖

二、工作原理

EEPROM存儲器的基本工作原理基于浮柵隧道氧化層（FLOTOX）技術。在FLOTOX結構中，傳統的MOS管控制柵下插入了一層多晶硅浮柵，浮柵被高電阻的氧化層與絕緣層包圍，從而實現了電子的長時間存儲。通過控制柵極與漏極之間的強電場，可以實現電子在浮柵與漏極之間的雙向流動，即“擦除”與“寫入”操作。

• 寫入操作：當需要對EEPROM進行寫入時，控制柵極接地，漏極接高壓（不小于12V），形成負向強電場，使得浮柵中的電子通過隧道氧化層回到漏極放電，從而將存儲單元的狀態從“1”改為“0”。

• 擦除操作：與寫入操作相反，擦除操作是將電子注入到浮柵中的過程。此時，源極與漏極接地，控制柵極接高壓（不小于12V），形成正向強電場，電子從漏極通過隧道氧化層進入浮柵，從而將存儲單元的狀態從“0”改為“1”。

EEPROM的讀取操作則是通過檢測存儲單元的閾值電壓變化來實現的。在讀取時，控制柵上加一個中間電平，根據浮柵中電子的有無（即存儲單元的閾值電壓高低），判斷存儲的數據是“1”還是“0”。

三、特點

1. 高可靠性：意法半導體的EEPROM產品具有高度的穩定性和可靠性，適用于各種工業和汽車電子應用。

2. 低功耗：EEPROM通常具有低功耗特性，適合于要求節能的電子設備。

3. 高速度：M24C64-WMN6TP的讀寫速度較快，能夠滿足對速度要求較高的應用。

4. 大容量：雖然EEPROM的容量相比其他非易失性存儲器（如Flash）較小，但M24C64-WMN6TP提供的64Kbit存儲容量足以滿足許多小型數據存儲需求。

5. 靈活接口：該EEPROM通過I2C接口進行通信，使得與微控制器的連接更加簡便和靈活。

6. 寬電壓范圍：M24C64-WMN6TP可以在2.5V至5.5V的電源電壓下工作，適應不同供電環境的需求。

四、應用

M24C64-WMN6TP EEPROM存儲器因其非易失性、低功耗和高可靠性的特點，被廣泛應用于各種需要長期保存數據的電子設備中。具體應用場景包括但不限于：

1. 系統配置存儲：用于存儲系統配置信息，如各種參數、校準數據等。

2. 加密密鑰存儲：用于存儲加密密鑰和安全認證信息，保護設備的安全性。

3. 代碼存儲：用于存儲程序代碼，如啟動代碼、固件更新等，確保設備在重啟或恢復時能夠正確運行。

4. 數據存儲：用于存儲各種數據，如歷史記錄、用戶設置等，提升用戶體驗。

在工業控制、汽車電子、消費類電子產品等領域，M24C64-WMN6TP EEPROM存儲器都發揮著重要作用，為各種電子設備提供了可靠的非易失性存儲解決方案。

五、參數

以下是M24C64-WMN6TP EEPROM存儲器的主要參數：

• 存儲容量：64Kbit（8K x 8位）

• 接口類型：I2C

• 封裝類型：SOIC-8（表面貼裝）

• 引腳數目：8

• 尺寸：4.9 x 3.9 x 1.25mm

• 電源電壓：2.5V至5.5V

• 工作溫度：-40°C至+85°C

• 隨機存取時間：900ns

• 最大時鐘頻率：400kHz

• 電源電流：最大2mA（工作），最大5mA（編程）

• 數據保留時間：數據保留時間超過200年，確保長期存儲的可靠性。

• 寫入周期：M24C64-WMN6TP具有高達1,000,000次的寫入周期，適用于需要頻繁更新數據的場合，如設備配置參數的動態調整。

• 耐久性：除了高寫入周期外，EEPROM還因其物理結構而具有良好的耐久性，能夠抵抗振動、沖擊等惡劣環境因素的影響。

• 電氣特性：

• 輸入/輸出高電平（Vih）：對于電源電壓VDD = 2.5V至5.5V，典型值為VDD x 0.7V。

• 輸入/輸出低電平（Vil）：對于電源電壓VDD = 2.5V至5.5V，典型值為VDD x 0.3V。

• 輸入/輸出漏電流（Iil, Ioh）：在指定條件下，漏電流極低，有助于降低功耗。

• 封裝與引腳配置：

• SOIC-8封裝是一種緊湊且常用的表面貼裝封裝形式，便于自動化生產過程中的安裝和焊接。

• 引腳配置包括電源（VCC）、地（GND）、串行時鐘（SCL）、串行數據（SDA）、寫保護（WP，如果有的話，具體取決于封裝版本）、地址引腳（A0, A1, A2，如果有的話，用于多個EEPROM設備時的地址選擇）以及可能的其他功能引腳（如硬件復位引腳，但并非所有型號都具備）。

• 安全性：雖然M24C64-WMN6TP本身不直接提供加密功能，但存儲在其中的數據可以通過外部加密機制進行保護，以防止未授權訪問。

• 環境適應性：該EEPROM能夠在廣泛的溫度范圍內工作，從極寒的-40°C到炎熱的+85°C，適合各種惡劣環境條件下的應用。

• 兼容性：M24C64-WMN6TP符合I2C總線規范，因此與大多數支持I2C接口的微控制器和微處理器兼容，便于系統集成和升級。

• 軟件支持：意法半導體通常提供豐富的軟件庫和示例代碼，幫助開發者快速上手并優化EEPROM的使用。此外，許多第三方開發工具和庫也支持I2C接口，進一步簡化了開發過程。

綜上所述，M24C64-WMN6TP EEPROM存儲器以其大容量、高可靠性、低功耗和靈活的接口特性，成為眾多電子設備中不可或缺的非易失性存儲解決方案。無論是在工業控制、汽車電子還是消費類電子產品領域，它都能提供穩定可靠的數據存儲支持，助力設備實現更智能、更高效的功能。