nexperia HEF4013BT,653雙D型觸發器中文資料


Nexperia HEF4013BT,653 雙D型觸發器
Nexperia HEF4013BT,653 是一種雙D型觸發器(Dual D-type flip-flop),屬于CMOS(互補金屬氧化物半導體)邏輯系列器件。HEF4013BT,653 的后續型號包括不同封裝形式和電氣特性變化的變種,以滿足不同應用場景的需求。常見的后續型號包括:
HEF4013B:標準型。
HEF4013BT:TSSOP封裝。
HEF4013BP:DIP封裝。
HEF4013BD:SO封裝。
每個型號的命名后綴如 "T"、"P"、"D" 等,分別表示不同的封裝形式,具體選擇應根據應用需求和電路設計進行。
廠商名稱:nexperia
元件分類:觸發器
中文描述: 觸發器,互補輸出,正沿,D,30 ns,40 MHz,2.4 mA,SOIC,14引腳
英文描述: Dual Flip Flop IC,D Type,14-Pin SOIC
數據手冊:http://www.qoodd.com/data/k01-37037386-HEF4013BT,653.html
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HEF4013BT,653概述
HEF4013BT是一個雙D型觸發器,具有獨立的直接設置輸入(SD)、直接清除輸入(CD)、時鐘輸入(CP)和輸出(Q、Q)。當CP為低電平時,數據被接受,并在時鐘的正向邊緣被轉移到輸出。高電平有效的異步CD和SD輸入是獨立的,覆蓋了D或CP輸入。輸出被緩沖以獲得最佳的系統性能。時鐘輸入的施密特觸發動作使電路對較慢的時鐘上升和下降時間有很強的耐受性。它在推薦的VDD電源范圍內工作,即3V至15V,參考VSS(通常是地)。未使用的輸入必須連接到VDD、VSS或其他輸入。
可容忍緩慢的時鐘上升和下降時間
完全靜態操作
標準化的對稱輸出特性
符合JEDEC標準JESD 13-B
應用
工業
HEF4013BT,653中文參數
制造商:Nexperia
產品種類:觸發器
電路數量:2
邏輯系列:HEF4000
邏輯類型:D-Type Edge Triggered Flip-Flop
極性:Inverting/Non-Inverting
輸入類型:Single-Ended
輸出類型:Differential
傳播延遲時間:30 ns at 15 V
高電平輸出電流:-4.2 mA
低電平輸出電流:4.2 mA
電源電壓-最小:3 V
電源電壓-最大:15 V
最小工作溫度:-40 C
最大工作溫度:+125 C
通道數量:2
輸入線路數量:1
輸出線路數量:1
工作電源電壓:3.3 V,5 V,9 V,12 V
靜態電流:4 uA
HEF4013BT,653引腳圖
工作原理
雙D型觸發器是一種基本的存儲單元,能夠存儲和傳輸數據。HEF4013BT,653 包含兩個獨立的D型觸發器,每個觸發器都有獨立的D輸入、時鐘輸入(CP)、復位(R)、置位(S)和輸出(Q)端。其工作原理如下:
D輸入端(Data Input, D):用于輸入數據。
時鐘輸入端(Clock Input, CP):控制數據存儲的時刻。每當時鐘信號從低到高變化(上升沿)時,D輸入端的數據被鎖存在觸發器中,并在Q端輸出。
復位端(Reset, R):當復位信號為低電平時,觸發器的輸出端Q被強制置為低電平,無論時鐘和D輸入端的狀態如何。
置位端(Set, S):當置位信號為低電平時,觸發器的輸出端Q被強制置為高電平,同樣無論時鐘和D輸入端的狀態如何。
HEF4013BT,653 的工作狀態可以用真值表表示如下:
CP | D | R | S | Q | Q' |
---|---|---|---|---|---|
↑ | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |
↑ | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 |
X | X | 0 | 1 | 0 | 1 |
X | X | 1 | 0 | 1 | 0 |
X | X | 0 | 0 | 1 | 1 |
"↑" 表示時鐘信號的上升沿。
"X" 表示任意狀態。
特點
HEF4013BT,653 具有以下顯著特點:
低功耗:由于采用CMOS技術,功耗非常低,非常適合便攜式和電池供電設備。
寬工作電壓范圍:工作電壓范圍為3V到15V,適應多種電源系統。
高噪聲容限:在正常工作范圍內,具有很高的噪聲容限,確保數據傳輸的可靠性。
多功能性:每個觸發器的復位和置位功能使其適用于復雜的邏輯電路設計。
高速操作:支持較高的時鐘頻率,適合高速數據傳輸需求。
應用
HEF4013BT,653 的應用領域非常廣泛,包括但不限于以下幾種:
數據存儲:作為基本的存儲單元,可以用作數據寄存器,緩存臨時數據。
計數器和分頻器:用于構建二進制計數器和分頻電路,在時鐘電路中廣泛應用。
狀態機:在數字系統中,用于實現有限狀態機(Finite State Machine, FSM)的狀態存儲。
控制電路:在控制電路中,用于狀態保持和控制信號的同步。
信號延遲:在某些情況下,用于實現信號的延遲,以匹配不同模塊之間的時序需求。
參數
為了更好地理解HEF4013BT,653 的性能,以下是其一些關鍵參數:
電源電壓(VDD):3V 至 15V。
輸入電壓(VI):-0.5V 至 VDD + 0.5V。
輸出電壓(VO):-0.5V 至 VDD + 0.5V。
工作溫度范圍(TA):-40°C 至 85°C。
靜態功耗(IDDS):典型值為 10 nA(VDD = 5V 時)。
最大時鐘頻率(fmax):10 MHz(VDD = 15V 時)。
傳輸延遲(tPHL / tPLH):典型值為 40 ns(VDD = 10V 時)。
輸入電容(CI):典型值為 5 pF。
總結
Nexperia HEF4013BT,653 雙D型觸發器是一種高效、低功耗、多功能的存儲器件。其寬電壓工作范圍、高噪聲容限和多種應用使其在現代電子電路設計中占有重要地位。從簡單的數據存儲到復雜的狀態機和控制電路,HEF4013BT,653 都能提供可靠的性能和穩定的工作狀態。在實際應用中,工程師可以根據具體需求選擇合適的封裝和型號,充分發揮該器件的優勢。
責任編輯:David
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