華邦Winbond W25Q16JVSSIQ FLASH存儲芯片中文資料

華邦（Winbond）W25Q16JVSSIQ是一款16Mb（兆位）的串行Flash存儲芯片。它采用了標準的串行外圍接口（SPI）協議，具有廣泛的應用范圍。W25Q16JV系列芯片有多種封裝形式可供選擇，其中SSIQ代表了8-SOP（150mil）的封裝形式，這是一種常見的、使用廣泛的封裝類型。

該系列芯片包括多個不同的容量和封裝型號，覆蓋從4Mb到256Mb的存儲容量，以滿足不同應用需求。W25Q16JVSSIQ是其中的一款，具有如下特點：

• 封裝類型：8-SOP（150mil）

• 存儲容量：16Mb

• 接口類型：SPI

• 電壓范圍：2.7V至3.6V

廠商名稱：華邦Winbond

元件分類：FLASH存儲芯片

中文描述： 華邦,閃存芯片, 16Mbit (2M x 8), 串行接口, 8引腳 SOIC封裝

英文描述： Winbond,spiFlash,3V,16M-bit,4Kb Uniform Sector

數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k01-36739070-W25Q16JVSSIQ.html

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W25Q16JVSSIQ中文參數

W25Q16JVSSIQ概述

16MB串行閃存，具有統一的4KB扇區和雙路/四路SPI

統一的4KB可擦除扇區和32KB/64KB可擦除塊

頁編程時間為0.4mS(典型值)

連續讀取，8/16/32/64字節包繞

時鐘工作頻率高達133MHz(雙路/四路SPI時分別為266/532MHz)

2.7至3.6V電源

2mA有源讀取電流、<1μA斷電電流

-40°C至+85°C工作范圍

編程/擦除暫停/恢復、暫停狀態位

工廠編程的唯一ID

具有雙路/四路SPI的電子ID，為頂部或底部塊提供硬件和軟件寫入保護

易失和非易失狀態寄存器位

鎖定和OTP保護

串行閃存可發現參數(SFDP)

3x256字節安全寄存器，帶OTP鎖

補充陣列保護位

單個塊/扇區寫入保護

軟件重置和可配置硬件/復位引腳

可編程輸出驅動器強度

W25Q16JVSSIQ引腳圖

工作原理

W25Q16JVSSIQ采用了串行Flash存儲技術，通過SPI接口進行數據讀寫操作。它內部包含以下主要模塊：

1. 存儲陣列：這是實際存儲數據的區域，分為多個扇區和塊，便于數據管理和擦寫操作。

2. 控制邏輯：負責管理芯片的操作，包括指令解碼、地址生成和數據傳輸控制。

3. 輸入/輸出（I/O）引腳：包括SPI總線的所有信號引腳，如MOSI、MISO、SCLK和CS。

4. 電源管理模塊：確保芯片在各種電壓范圍內穩定工作。

SPI接口是一種全雙工同步串行通信協議，通常包括四個信號引腳：

• MOSI（Master Out Slave In）：主機輸出從機輸入，用于從主機傳輸數據到從機。

• MISO（Master In Slave Out）：主機輸入從機輸出，用于從從機傳輸數據到主機。

• SCLK（Serial Clock）：串行時鐘，由主機產生，用于同步數據傳輸。

• CS（Chip Select）：芯片選擇信號，由主機控制，用于選擇要通信的從機。

在工作時，主機通過拉低CS引腳選擇W25Q16JVSSIQ，然后通過MOSI引腳發送指令和地址，芯片接收到指令后，根據需要執行讀寫或擦除操作，并通過MISO引腳返回數據。

特點

W25Q16JVSSIQ具有許多獨特的特點，使其在各類應用中表現優越：

1. 高速性能：支持高達104MHz的時鐘頻率，提供快速的讀寫速度。

2. 低功耗：具備深度電源下降模式和待機模式，降低功耗。

3. 寬電壓范圍：工作電壓從2.7V到3.6V，適應各種電源環境。

4. 數據保護功能：包括軟件寫保護和硬件寫保護，提供可靠的數據保護機制。

5. 靈活的扇區/塊擦除：支持4KB扇區擦除、32KB和64KB塊擦除，以及全芯片擦除，便于數據管理。

6. 高可靠性：采用先進的工藝技術，具有10萬次的擦寫壽命和20年的數據保持能力。

應用

W25Q16JVSSIQ因其出色的性能和多樣的功能，被廣泛應用于以下領域：

1. 嵌入式系統：作為固件和配置數據的存儲器，提供可靠的數據存儲解決方案。

2. 消費電子：在智能手機、平板電腦、數字相機等設備中，用于存儲操作系統、應用程序和用戶數據。

3. 工業控制：在工業自動化設備中，用于存儲控制程序和操作參數。

4. 汽車電子：在汽車電子控制單元（ECU）中，用于存儲固件和運行數據。

5. 物聯網（IoT）：在物聯網設備中，用于存儲設備固件和傳感器數據。

6. 網絡通信：在路由器、交換機等網絡設備中，用于存儲操作系統和配置數據。

參數

W25Q16JVSSIQ的詳細參數如下：

• 存儲容量：16Mb（2MB）

• 接口類型：SPI

• 時鐘頻率：最高104MHz

• 工作電壓：2.7V至3.6V

• 待機電流：典型值10μA

• 深度掉電模式電流：典型值1μA

• 擦寫壽命：10萬次擦寫周期

• 數據保持時間：20年

• 工作溫度范圍：-40°C至+85°C

• 扇區大小：4KB

• 塊大小：32KB、64KB

• 數據傳輸速率：雙輸出模式下最高可達208Mbps

通過這些詳細的參數，可以看出W25Q16JVSSIQ在性能和可靠性方面具有顯著優勢，能夠滿足多種應用場景的需求。

綜上所述，華邦Winbond W25Q16JVSSIQ Flash存儲芯片憑借其高性能、低功耗和高可靠性，成為眾多電子設備和系統的理想選擇。