英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術。XT模具貼附技術，在同等尺寸的模具上實現最佳的熱阻抗。

CoolSiC 750V G1技術提供非常高的魯棒性，特別是對宇宙輻射，使其非常適合大于500V的母線電壓。由于具有出色的抗雜散導通能力，這些器件可以用零伏V(GS)臺下電壓(單極柵極驅動器)安全地驅動，從而降低了系統復雜性、PCB面積占用和BOM數量。寬柵極源電壓額定值(-5V至23V, V(GS)靜態)確保與雙極驅動的兼容性，以增加設計靈活性。

這款CoolSiC 汽車MOSFET 750V G1系列具有非常細粒度的產品組合，R(DS(on))(典型+25°C)從8毫歐到140毫歐，并提供7引腳D2PAK和QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝。jedec發布的QDPAK TSC封裝有助于最大限度地利用PCB空間，使功率密度加倍，并通過基板熱去耦增強熱管理。頂部冷卻封裝顯著減少了設計冷卻基礎設施的工作量，是實現最高功率密度的關鍵。

特性

• 高度穩健的750V技術

• 同類最佳的R(DS(on)) x Q(fr)，在硬開關半橋中具有卓越的效率

• R(DS(on)) × Q(oss)和R(DS(on)) × Q(g)的優良數字使更高的開關頻率成為可能

• 低交叉/高交叉(gsth)

• 100%雪崩測試

• 英飛凌貼片技術

• 尖端的頂部冷卻封裝

• 更高的可靠性

• 可承受500V以上母線電壓

• 抗寄生匝

• 單極駕駛

• 一流的散熱性能

• 通過無鉛認證

應用程序

• 車載充電器

• 汽車用高壓-低壓直流-直流變換器

• 汽車靜態開關(eFuses, BMS)