原標題：Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介紹、特性、及應用

Vishay/Siliconix SISH892BDN是一款N通道（N-Channel）的100V MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該MOSFET采用了TrenchFET Gen IV技術，旨在提供高性能的開關應用解決方案。

特性

1. 電氣參數：

• 漏源極擊穿電壓（Vds-漏源極擊穿電壓）：100 V

• 連續漏極電流（Id-連續漏極電流）：20 A

• 漏源導通電阻（Rds On-漏源導通電阻）：在VGS=10V時，最大值為0.0304Ω；在VGS=4.5V時，最大值為0.0347Ω

• 柵極電荷（Qg）：典型值為8 nC

• 柵源極閾值電壓（Vgs th-柵源極閾值電壓）：2.4 V

2. 物理特性：

• 封裝/箱體：PowerPAK-1212-8

• 安裝風格：SMD/SMT（表面貼裝技術）

• 晶體管極性：N-Channel

• 通道數量：1 Channel

1. 環境適應性：

• 工作溫度范圍：-55°C至+150°C

• 符合RoHS指令2002/95/EC

2. 性能特性：

• 100% Rg和UIS（無鉗位電感開關）測試

• 基于Vishay第四代系列超級結技術，具有極低的品質因數 (FOM)

• 低有效輸出電容(Co(er)和Co(tr))，可降低導通與開關損耗

應用

Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET由于其高性能和穩定性，廣泛應用于各種需要高效能開關的電路中，包括但不限于：

1. DC/DC轉換器：在電源管理系統中，作為DC/DC轉換器中的開關元件，實現電壓的轉換和調節。

2. 電信/服務器：在電信設備和服務器中，用于電源分配和電源管理電路，確保設備的穩定運行。

3. 工業應用：在工業自動化和電機控制系統中，作為開關元件，控制電機的運行和停止。

以上信息僅供參考，具體使用時還需根據具體電路和應用環境選擇合適的參數和配置。