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可控硅選型方法_晶閘管選型方法

來源:
2022-06-10
類別:設計應用
eye 18
文章創建人 拍明芯城

原標題:可控硅選型方法晶閘管選型方法

可控硅(晶閘管)的選型方法主要包括以下幾個步驟和要點:

一、明確應用場景和參數需求

  1. 功率需求:根據負載的功率需求,選擇功率合適的可控硅。可控硅的功率是指其最大耐受電壓和最大耐受電流之積,通常用單位“安培乘以伏特”來表示。

  2. 電壓和電流

    • 額定電壓:選擇能夠承受的最大電壓值大于或等于電路所需的最大電壓的可控硅。

    • 額定電流:選擇能夠承受的最大電流值大于或等于電路所需的最大電流的可控硅。

二、考慮技術特性

  1. 頻率:根據電路所需的最大頻率,選擇適當的可控硅。如果頻率過小,會導致電路無法正常工作;如果頻率過大,則無法充分發揮其性能,同時也會增加成本。

  2. 開關速度:晶閘管的開關速度是指其控制電流導通和關斷的速度。在選擇時,需要根據實際應用場景選擇合適的開關速度,以確保其能夠滿足系統的要求。

  3. 熱性能:晶閘管在工作時會產生熱量,因此需要考慮其熱性能。選擇具有良好熱性能的產品,以確保其能夠正常工作。

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三、其他參數和注意事項

  1. 觸發靈敏度:晶閘管的觸發靈敏度是指其觸發電流的大小和穩定性。需要選擇觸發靈敏度合適的晶閘管,以確保其觸發穩定可靠。

  2. 封裝形式:根據線路的安裝條件要求,選擇適合用插件可控硅還是貼片可控硅。不同的封裝形式有不同的封裝外形和散熱特性。

  3. 環境適應性:考慮環境溫度對晶閘管容量的影響,超過40°C時晶閘管的容量要降低一些。對于大電流的晶閘管,需要考慮散熱方式和冷卻方式的影響。

四、具體參數選擇

  1. 反向斷態重復峰值電壓(VRRM):晶閘管反向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時值反向電壓。

  2. 正向斷態重復峰值電壓(VDRM):晶閘管正向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時正向電壓。

  3. 門極觸發電流(IGT)和門極觸發電壓(VGT):確保觸發電路供給的觸發電流和電壓大于這兩個數值,以可靠觸發SCR。

五、品牌和質量

選擇知名品牌的晶閘管,以確保在質量和性能上更有保障。同時,還需要考慮其售后服務和技術支持等方面。

綜上所述,選擇合適的可控硅(晶閘管)需要綜合考慮多個因素,包括應用場景、功率需求、電壓和電流、技術特性、其他參數和注意事項以及品牌和質量等。只有全面考慮這些因素,才能選擇到合適的可控硅(晶閘管),確保其在實際應用中能夠發揮出最佳的性能和效果。


責任編輯:David

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