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電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中兩種MOS冗余驅(qū)動(dòng)方案分析

來源: 維庫電子網(wǎng)
2021-11-24
類別:電源管理
eye 33
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中兩種MOS冗余驅(qū)動(dòng)方案分析

電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中兩種MOS冗余驅(qū)動(dòng)方案分析

在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,功率MOS作為核心開關(guān)元件,其可靠性直接決定了系統(tǒng)的整體性能。然而,在過壓、過流、過載等極端工況下,單個(gè)MOS管極易因熱失控、擊穿或機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致失效,進(jìn)而引發(fā)驅(qū)動(dòng)板失效甚至起火風(fēng)險(xiǎn)。為解決這一問題,本文深入剖析雙管冗余驅(qū)動(dòng)與四管冗余驅(qū)動(dòng)兩種方案,結(jié)合典型元器件選型與電路設(shè)計(jì),揭示其故障隔離機(jī)制、性能優(yōu)化路徑及適用場(chǎng)景,為高可靠性驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供理論支撐與實(shí)踐指導(dǎo)。

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一、冗余驅(qū)動(dòng)方案的核心需求與失效模式分析

1.1 冗余驅(qū)動(dòng)的必要性

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,功率MOS管需承受高電壓、大電流及高頻開關(guān)應(yīng)力,其失效模式主要包括:

  • 短路失效:DS極間擊穿、GS極間擊穿或GDS極間擊穿,導(dǎo)致功率回路直接導(dǎo)通,高壓傳導(dǎo)至低壓側(cè);

  • 開路失效:GS極開路或DS極開路,導(dǎo)致功率回路斷開,系統(tǒng)失去控制能力。

傳統(tǒng)單MOS驅(qū)動(dòng)方案在單點(diǎn)失效時(shí),無法實(shí)現(xiàn)故障隔離,可能引發(fā)連鎖反應(yīng)。冗余驅(qū)動(dòng)通過多MOS并聯(lián)與獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道設(shè)計(jì),確保在單MOS失效時(shí),系統(tǒng)仍能維持正常功能,避免災(zāi)難性故障。

1.2 典型失效模式與影響

以雙管冗余驅(qū)動(dòng)為例,不同失效模式對(duì)系統(tǒng)的影響如下:

  • DS短路:若MOS管DS極短路,由于驅(qū)動(dòng)通道隔離設(shè)計(jì),高壓不會(huì)傳導(dǎo)至低壓側(cè),系統(tǒng)功能正常;

  • GS短路:若上橋臂MOS管GS極短路,高壓可能損壞對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)模塊,但自舉二極管可阻斷高壓傳導(dǎo),系統(tǒng)其他部分仍能正常工作;

  • GS/DS開路:若MOS管GS或DS極開路,功率回路斷開,系統(tǒng)進(jìn)入安全關(guān)斷狀態(tài),避免進(jìn)一步損壞。

四管冗余驅(qū)動(dòng)方案通過加倍MOS管與驅(qū)動(dòng)通道數(shù)量,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)對(duì)開路失效的容錯(cuò)能力,確保在任意單MOS失效時(shí),系統(tǒng)功能不受影響。

二、雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案詳解

2.1 電路架構(gòu)與關(guān)鍵元器件選型

雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案的核心在于兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道與并聯(lián)MOS管的設(shè)計(jì)。典型元器件選型如下:

2.1.1 驅(qū)動(dòng)IC:UCC21225A

  • 型號(hào):UCC21225A(TI公司)

  • 關(guān)鍵參數(shù)

    • 原邊供電電壓:3V-18V

    • 副邊供電電壓:6.5V-25V

    • 驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間:18ns

    • CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度):100V/ns

    • 驅(qū)動(dòng)能力:4A/6A

    • 隔離等級(jí):2500Vrms(UL1577標(biāo)準(zhǔn))

  • 功能與優(yōu)勢(shì)

    • 支持兩通道低邊驅(qū)動(dòng)、兩通道高邊驅(qū)動(dòng)及半橋驅(qū)動(dòng),通過配置DT引腳可工作在overlap模式;

    • 輸入與輸出隔離,驅(qū)動(dòng)通道間隔離,確保在單通道失效時(shí),故障不會(huì)傳導(dǎo)至其他通道;

    • 高CMTI能力,有效抵抗高頻開關(guān)噪聲干擾。

2.1.2 MOS管:IPW70R190CF(英飛凌)

  • 型號(hào):IPW70R190CF

  • 關(guān)鍵參數(shù)

    • 最大漏-源電壓(VDSS):75V

    • 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):19mΩ(@VGS=10V)

    • 封裝類型:TO-263-3L(表面貼裝式塑料封裝)

  • 功能與優(yōu)勢(shì)

    • 低導(dǎo)通電阻,降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率;

    • 高壓耐受能力,適用于中小功率直流無刷電機(jī)控制器;

    • 表面貼裝封裝,便于緊湊型PCB布局。

2.2 電路設(shè)計(jì)與工作原理

雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案的典型電路設(shè)計(jì)如下:

  • 驅(qū)動(dòng)供電:輸入通道供電通過電阻和二極管連接到驅(qū)動(dòng)供電軌,確保在單通道失效時(shí),其他通道仍能正常工作;

  • 自舉電路:當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電壓軌通過自舉二極管為自舉電容充電,自舉電容上的電壓為上橋臂驅(qū)動(dòng)模塊供電,自舉二極管擊穿電壓需大于母線電壓;

  • PWM信號(hào)濾波:PWM輸入信號(hào)經(jīng)過RC濾波網(wǎng)絡(luò),避免輸入干擾信號(hào)影響驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。

2.3 性能優(yōu)化與局限性

雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案在提升系統(tǒng)可靠性的同時(shí),也存在以下局限性:

  • 控制邏輯復(fù)雜:上橋臂驅(qū)動(dòng)供電對(duì)最小同占空比和上電時(shí)序有嚴(yán)格要求,需精確設(shè)計(jì)時(shí)序控制電路;

  • 信號(hào)延遲差異:由于MOS管本身特性不對(duì)稱,驅(qū)動(dòng)IC的兩個(gè)通道信號(hào)傳輸延遲存在差異,可能導(dǎo)致MOS開通/關(guān)斷特性不一致,引發(fā)震蕩,降低PWM頻率上限,增加開關(guān)損耗;

  • 導(dǎo)通損耗加倍:MOS管數(shù)量加倍,導(dǎo)致導(dǎo)通損耗加倍,需通過優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)或選用更低RDS(on)的MOS管來緩解;

  • 無故障診斷:方案缺乏故障診斷功能,無法定位具體失效MOS管,增加維護(hù)難度。

三、四管冗余驅(qū)動(dòng)方案詳解

3.1 電路架構(gòu)與關(guān)鍵元器件選型

四管冗余驅(qū)動(dòng)方案在雙管冗余驅(qū)動(dòng)的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步加倍MOS管與驅(qū)動(dòng)通道數(shù)量,實(shí)現(xiàn)更高的故障容錯(cuò)能力。典型元器件選型如下:

3.1.1 驅(qū)動(dòng)IC:UCC21225A(擴(kuò)展應(yīng)用)

UCC21225A在四管冗余驅(qū)動(dòng)方案中,仍作為核心驅(qū)動(dòng)IC,通過擴(kuò)展外圍電路實(shí)現(xiàn)四通道獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。其優(yōu)勢(shì)在于:

  • 高隔離等級(jí)與CMTI能力,確保在多通道并行工作時(shí),故障隔離效果顯著;

  • 支持多種驅(qū)動(dòng)模式,便于靈活設(shè)計(jì)電路。

3.1.2 MOS管:IPW70R190CF(擴(kuò)展應(yīng)用)

IPW70R190CF在四管冗余驅(qū)動(dòng)方案中,通過并聯(lián)四顆MOS管實(shí)現(xiàn)功率冗余。其優(yōu)勢(shì)在于:

  • 低導(dǎo)通電阻與高壓耐受能力,確保在多MOS管并聯(lián)時(shí),系統(tǒng)效率與可靠性不受影響;

  • 表面貼裝封裝,便于緊湊型PCB布局,降低系統(tǒng)體積。

3.2 電路設(shè)計(jì)與工作原理

四管冗余驅(qū)動(dòng)方案的典型電路設(shè)計(jì)如下:

  • 驅(qū)動(dòng)供電:采用獨(dú)立驅(qū)動(dòng)供電軌,確保在單通道失效時(shí),其他通道仍能正常工作;

  • 自舉電路:通過擴(kuò)展自舉二極管與自舉電容數(shù)量,實(shí)現(xiàn)上橋臂驅(qū)動(dòng)模塊的獨(dú)立供電;

  • PWM信號(hào)濾波:采用多級(jí)RC濾波網(wǎng)絡(luò),確保在多通道并行工作時(shí),PWM信號(hào)穩(wěn)定性。

3.3 性能優(yōu)化與優(yōu)勢(shì)

四管冗余驅(qū)動(dòng)方案在提升系統(tǒng)可靠性的同時(shí),具有以下優(yōu)勢(shì):

  • 故障容錯(cuò)能力更強(qiáng):在任意單MOS管失效時(shí),系統(tǒng)功能不受影響,確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)的連續(xù)性;

  • 故障隔離效果顯著:通過獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道與隔離設(shè)計(jì),確保在單通道失效時(shí),故障不會(huì)傳導(dǎo)至其他通道;

  • 系統(tǒng)效率更高:通過優(yōu)化MOS管并聯(lián)數(shù)量與驅(qū)動(dòng)IC選型,降低導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。

四、冗余驅(qū)動(dòng)方案的比較與選型建議

4.1 雙管冗余驅(qū)動(dòng)與四管冗余驅(qū)動(dòng)的比較


比較項(xiàng)雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案四管冗余驅(qū)動(dòng)方案
故障容錯(cuò)能力在單MOS管失效時(shí),系統(tǒng)功能正常,但開路失效時(shí),系統(tǒng)功能異常在任意單MOS管失效時(shí),系統(tǒng)功能正常,故障容錯(cuò)能力更強(qiáng)
控制邏輯復(fù)雜度較高,需精確設(shè)計(jì)時(shí)序控制電路更高,需擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)通道與外圍電路
信號(hào)延遲差異存在,可能導(dǎo)致震蕩,降低PWM頻率上限更顯著,需通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)IC選型與電路設(shè)計(jì)來緩解
導(dǎo)通損耗加倍,需通過優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)或選用更低RDS(on)的MOS管來緩解更高,需通過優(yōu)化MOS管并聯(lián)數(shù)量與驅(qū)動(dòng)IC選型來降低
故障診斷能力無,無法定位具體失效MOS管仍無,但可通過擴(kuò)展外圍電路實(shí)現(xiàn)故障診斷功能
系統(tǒng)成本較低,適用于對(duì)成本敏感的應(yīng)用場(chǎng)景較高,適用于對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景


4.2 選型建議

  • 對(duì)成本敏感的應(yīng)用場(chǎng)景:推薦選用雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案,通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)IC選型與電路設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本與可靠性的平衡;

  • 對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景:推薦選用四管冗余驅(qū)動(dòng)方案,通過加倍MOS管與驅(qū)動(dòng)通道數(shù)量,實(shí)現(xiàn)更高的故障容錯(cuò)能力;

  • 需故障診斷功能的應(yīng)用場(chǎng)景:可通過擴(kuò)展外圍電路,如增加電流傳感器與故障診斷芯片,實(shí)現(xiàn)故障定位與報(bào)警功能。

五、冗余驅(qū)動(dòng)方案的應(yīng)用案例與優(yōu)化方向

5.1 應(yīng)用案例:電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

在電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,冗余驅(qū)動(dòng)方案可顯著提升系統(tǒng)的可靠性與安全性。以四管冗余驅(qū)動(dòng)方案為例,通過并聯(lián)四顆IPW70R190CF MOS管與選用UCC21225A驅(qū)動(dòng)IC,實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的高效與可靠。在單MOS管失效時(shí),系統(tǒng)仍能維持正常功能,避免因驅(qū)動(dòng)失效導(dǎo)致的車輛失控風(fēng)險(xiǎn)。

5.2 優(yōu)化方向

  • 驅(qū)動(dòng)IC選型優(yōu)化:選用更高隔離等級(jí)、更低驅(qū)動(dòng)延遲與更高CMTI能力的驅(qū)動(dòng)IC,提升系統(tǒng)抗干擾能力與故障隔離效果;

  • MOS管并聯(lián)數(shù)量?jī)?yōu)化:通過仿真與實(shí)驗(yàn),確定最優(yōu)MOS管并聯(lián)數(shù)量,平衡系統(tǒng)效率、成本與可靠性;

  • 散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化:采用高效散熱材料與散熱結(jié)構(gòu),降低MOS管與驅(qū)動(dòng)IC的工作溫度,提升系統(tǒng)壽命與可靠性;

  • 故障診斷功能擴(kuò)展:通過增加電流傳感器與故障診斷芯片,實(shí)現(xiàn)故障定位與報(bào)警功能,提升系統(tǒng)維護(hù)效率。

六、結(jié)論

本文深入剖析了電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中雙管冗余驅(qū)動(dòng)與四管冗余驅(qū)動(dòng)兩種方案,結(jié)合典型元器件選型與電路設(shè)計(jì),揭示了其故障隔離機(jī)制、性能優(yōu)化路徑及適用場(chǎng)景。雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案通過兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道與并聯(lián)MOS管的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了在單MOS管失效時(shí)的系統(tǒng)功能正常;四管冗余驅(qū)動(dòng)方案則通過加倍MOS管與驅(qū)動(dòng)通道數(shù)量,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)對(duì)開路失效的容錯(cuò)能力。在實(shí)際應(yīng)用中,需根據(jù)系統(tǒng)對(duì)成本、可靠性、故障診斷功能的需求,選擇合適的冗余驅(qū)動(dòng)方案,并通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)IC選型、MOS管并聯(lián)數(shù)量、散熱設(shè)計(jì)及故障診斷功能,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能與可靠性的最大化。未來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)與電路設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷發(fā)展,冗余驅(qū)動(dòng)方案將在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用,推動(dòng)高可靠性驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新與發(fā)展。

責(zé)任編輯:David

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