原標題：為對抗三星、SK 海力士，傳日本鎧俠將砸1182億新建3D NAND Flash廠

為對抗三星、SK 海力士等競爭對手，日本鎧俠（Kioxia，原東芝半導體）確實計劃投資巨額資金新建3D NAND Flash廠。以下是關于此計劃的詳細歸納：

一、投資計劃概述

• 投資主體：日本鎧俠（Kioxia）

• 投資金額：約2兆日元（約合人民幣1182億元）

• 投資目的：新建3D NAND Flash廠，以擴大產能并提升技術競爭力，對抗三星、SK 海力士等競爭對手。

二、新建廠房詳情

• 廠房名稱：K2

• 建設地點：日本巖手縣北上市工廠

• 建設規模：K2廠房的規模預計是2020年上半年開始營運的K1廠房的2倍。

• 建設進度：

• 2022年春天：開始動工興建。

• 2023年春天：預計完成廠房工程。

• 數個月后：開始生產3D NAND Flash。

三、生產設備與資金來源

• 生產設備：K2廠房所需的生產設備主要將從鎧俠的四日市工廠（日本三重縣）轉移過來。

• 資金來源：鎧俠計劃與合作伙伴西部數據（Western Digital, WD）共同負擔生產設備投資費用。此外，總額2兆日元的投資中，除了含K2廠房及附帶設施的興建費用外，也包含設備補充四日市工廠的費用。

四、市場競爭與技術發展

• 市場競爭：鎧俠希望通過新建3D NAND Flash廠來擴大產能，并提升技術競爭力，以對抗三星、SK 海力士等競爭對手。

• 技術發展：隨著云端服務、5G通訊等技術的不斷發展，NAND Flash的市場需求持續增長。鎧俠通過投資新建廠房和引進先進生產設備，旨在滿足市場需求并保持技術領先地位。

五、其他相關信息

• IPO計劃：由于市場行情回溫緩慢，鎧俠的IPO計劃較原定時程出現延誤，最快可能也要到2021年的夏天之后。

• 行業趨勢：除了鎧俠外，其他半導體廠商也在積極投資擴建產能。例如，英特爾計劃投資200億美元在亞利桑那州建設全新半導體工廠，臺積電也打算在亞利桑那州投資120億美元新設工廠。這些投資都將進一步推動半導體行業的發展和競爭。

綜上所述，日本鎧俠為對抗三星、SK 海力士等競爭對手，計劃投資約1182億元人民幣新建3D NAND Flash廠。該計劃將有助于提高鎧俠的產能和技術競爭力，并滿足市場需求。