原標題：ST推出新款MasterGaN4器件，實現高達200瓦的高能效功率變換

ST（意法半導體）推出的新款MasterGaN4器件，確實實現了高達200瓦的高能效功率變換。以下是對該器件的詳細介紹：

一、產品概述

MasterGaN4是意法半導體MasterGaN系列的最新產品，集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵（GaN）功率晶體管，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能。這款器件旨在簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。

二、主要特點

1. 高性能GaN晶體管：

• MasterGaN4內部的GaN晶體管具有出色的開關性能，工作頻率更高，能效更高，散熱發熱更少。

• 設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，從而設計出更小、更輕的電源、充電器和適配器。

2. 優化的柵極驅動器：

• MasterGaN4集成了優化的柵極驅動器，解決了復雜的柵極控制和電路布局難題。

• 柵極驅動器的高側可以容易地由集成自舉二極管提供。

3. 電路保護功能：

• MasterGaN4內置了多種保護功能，包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。

• 還有一個專用的關斷引腳，方便用戶進行關斷操作。

4. 寬電源電壓范圍：

• MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V~15V，可以直接連接到控制器，如霍爾效應傳感器、微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

• 4.75V~9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。

5. 封裝與安全性：

• MasterGaN4采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，體積小巧。

• 超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。

三、應用領域

MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。此外，它還可應用于開關模式電源、充電器和適配器、高壓PFC、DC-DC和DC-AC轉換器等。

四、總結

ST推出的新款MasterGaN4器件以其高性能的GaN晶體管、優化的柵極驅動器、豐富的電路保護功能以及寬電源電壓范圍等特點，為高達200W的高能效功率變換應用提供了理想的解決方案。該器件不僅簡化了設計流程，還提高了系統的能效和可靠性，具有廣闊的應用前景。