原標題：怎樣去設計ESD保護應用電路？

設計ESD（靜電放電）保護應用電路時，需要考慮多種因素，包括被保護電路的特性、ESD事件的特性以及所需的保護級別等。針對AD8603放大器和MMBD-1503A二極管，以下是一種可能的ESD保護電路設計思路：

一、了解AD8603放大器和MMBD-1503A二極管

1. AD8603放大器：

• 精密、單路、微功耗、軌到軌輸入/輸出、低噪聲CMOS運算放大器。

• 具有低失調電壓、低輸入偏置電流和低噪聲等特性。

• 需要保護其輸入端免受ESD事件的損害。

2. MMBD-1503A二極管：

• 低泄漏二極管，適用于需要高阻抗輸入的電路。

• 在分流高阻抗輸入時，可能會引入一定的偏移電壓。

二、設計思路

1. 確定保護目標：

• 保護AD8603放大器的輸入端免受ESD事件的損害。

2. 選擇保護器件：

• 可以使用TVS（瞬態電壓抑制）二極管或雙肖特基二極管等作為ESD保護器件。

• 在本例中，由于AD8603是低噪聲、低輸入偏置電流的放大器，因此需要選擇具有低泄漏和低偏移特性的保護器件。

3. 設計保護電路：

• 在AD8603的輸入端添加ESD保護電路。

• 可以使用串聯電阻來減緩信號的上升時間，改善電路的EMC（電磁兼容性）和SI（信號完整性）。

• 在輸入端與地之間添加電容，以放慢ESD尖峰的上升速率，并提供額外的保護。但需要注意電容的大小，以避免對高速信號造成過大的負載。

• 將TVS二極管或雙肖特基二極管連接在輸入端與電源或地之間，以吸收ESD事件產生的瞬態電壓。

4. 優化電路：

• 根據實際應用場景，調整串聯電阻和電容的數值，以達到最佳的保護效果。

• 確保保護電路不會對AD8603放大器的性能產生負面影響，如引入過大的噪聲或偏移電壓。

三、具體電路設計

以下是一種可能的電路設計：

1. 串聯電阻：在AD8603的輸入端添加一個220Ω的串聯電阻，以減緩信號的上升時間。

2. 電容：在輸入端與地之間添加一個1nF的電容，以放慢ESD尖峰的上升速率。

3. TVS二極管：選擇一個8.2V的TVS二極管，并將其連接在輸入端與地之間。TVS二極管可以吸收ESD事件產生的瞬態電壓，并保護AD8603的輸入端。

四、注意事項

1. 寄生電容：保護器件（如TVS二極管）可能會引入一定的寄生電容，這可能會對高速信號的性能產生影響。因此，在選擇保護器件時，需要權衡其保護效果和寄生電容的大小。

2. 泄漏電流：對于高阻抗輸入的電路，如使用MMBD-1503A二極管進行分流的電路，需要特別注意保護器件的泄漏電流。泄漏電流過大可能會引入不必要的偏移電壓，影響電路的性能。

3. 布局與布線：在PCB布局時，需要確保保護電路與AD8603放大器之間的布線盡可能短且直，以減少寄生參數的影響。同時，還需要注意印制電路板的布局，以避免電介質特性的缺陷提供寄生泄漏電流路徑。

綜上所述，設計ESD保護應用電路時，需要綜合考慮被保護電路的特性、ESD事件的特性以及所需的保護級別等因素。通過合理選擇保護器件和優化電路設計，可以有效地保護AD8603放大器等敏感電路免受ESD事件的損害。