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江波龍電子DDR5內存橫空出世,多項實測數據首次對公眾開放

來源: 中電網
2021-03-17
類別:新品快報
eye 19
文章創建人 拍明

原標題:江波龍電子DDR5內存橫空出世,多項實測數據首次對公眾開放

江波龍電子發布的DDR5內存確實引起了廣泛關注,其多項實測數據的公開更是為業界和消費者提供了寶貴的參考信息。以下是對江波龍電子DDR5內存及其實測數據的詳細歸納:

一、江波龍電子DDR5內存概述

江波龍電子(Longsys)發布了DDR5內存模組產品(ES1),該內存模組包含兩款全新架構的產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。這些內存模組在速度、容量和時序等方面均有所提升,為用戶提供了更出色的性能體驗。

二、實測數據公開

江波龍電子在發布DDR5內存時,特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。這些測試數據通過專業的測試平臺和軟件(如魯大師和AIDA64)進行展示,為消費者提供了直觀的性能對比和參考。

  1. 測試平臺與配置

    • 測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板。

    • 搭配Longsys DDR5 32GB內存模組。

    • 配置Windows 10 Pro x64操作系統。

  2. 測試數據與對比

    • 讀取速率:35844MB/s

    • 寫入速度:32613MB/s

    • 拷貝速度:28833MB/s

    • 延遲:112.1ns(相比DDR4內存有所增加,但整體性能仍有大幅提升)

    • 魯大師測試:Longsys DDR5 32GB的跑分高達19萬分有余,相比DDR4內存跑分提高了一倍。

    • AIDA64測試

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三、DDR5內存技術特點

江波龍電子的DDR5內存采用了多項先進技術,使其在性能上實現了跨越式提升。這些技術特點包括:

  1. 糾錯模式:支持On-die-ECC,全面實現數據糾錯能力,提高數據完整性。

  2. 預取模式:支持16n Prefetch模式(BL16),使內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍。

  3. 端到端接收模式:擴展增加CA/CS類信號ODT,進一步減少信號脈沖的反射干擾效應。

  4. 電源管理模式:增加PMIC集成功能,提高能效管理。

  5. 刷新模式:支持SAME-BANK Refresh技術,允許刷新每個BG中的一個Bank,使所有其他Banks保持打開狀態以繼續正常操作。

  6. 通道模式:內置獨立雙通道機制,單條實現雙通道,提高運行速率。

四、市場前景與應用

江波龍電子的DDR5內存模組產品具有廣闊的市場前景和應用空間。隨著全球對帶寬有強烈需求的專業應用領域(如服務器、云計算、數據中心、高性能計算機等)的不斷發展,DDR5內存將成為這些領域的重要選擇。此外,隨著電競市場的日益普及和成熟,DDR5內存也將為電競玩家提供更流暢的游戲體驗。

綜上所述,江波龍電子發布的DDR5內存模組產品在性能上實現了顯著提升,并采用了多項先進技術。其實測數據的公開為消費者提供了直觀的參考信息,也為業界提供了寶貴的參考依據。隨著DDR5內存的不斷發展,它將為更多領域提供更出色的內存解決方案。


責任編輯:David

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