被STM32G0快速編程難倒的,看這里


原標題:被STM32G0快速編程難倒的,看這里
STM32G0系列微控制器除了支持Flash標準編程外,還支持Flash的快速編程。然而,在實際開發中,開發者可能會遇到一些與STM32G0快速編程相關的問題。以下是一些關于STM32G0快速編程的要點和解決方案:
一、STM32G0快速編程概述
STM32G0系列微控制器支持通過內部Flash存儲器進行快速編程。這種編程方式相較于標準編程具有更高的速度,適用于需要快速更新代碼或數據的場景。然而,由于快速編程的特殊性,開發者在編寫代碼時需要注意一些關鍵問題。
二、快速編程中的關鍵問題
快速編程代碼的位置:
對Flash進行快速編程時,不允許對Flash進行讀取操作。因此,快速編程的代碼需要被放置在RAM中運行,以避免對Flash進行命令讀取。在STM32G0Cube庫中,快速編程的核心函數
FLASH_Program_Fast
被標記為__RAM_FUNC
,表明該函數位于RAM區域。相比之下,STM32L4系列微控制器的Flash是single bank,其快速編程示例代碼中的鏈接文件定義了ROM的地址為RAM區域,因此不需要使用
__RAM_FUNC
關鍵字。但在移植到STM32G0時,需要注意確保快速編程代碼位于RAM中。快速編程的源數據位置:
快速編程時,源數據也應該位于RAM中,而不是Flash中。因為快速編程需要將數據以256字節(64個word)為單位寫入目標地址,如果源數據位于Flash中,則會導致在編程過程中讀取Flash數據,從而引發問題。
在從STM32L4移植到STM32G0時,如果直接將L4示例代碼中的源數據數組復制到G0項目中,可能會因為數組定義的問題(如使用了
const
關鍵字導致數組位于Flash中)而導致程序在快速編程過程中崩潰。因此,需要將數組定義為位于RAM中的非const
變量。
三、快速編程的實現步驟
擦除目標頁:
在進行快速編程之前,需要先對目標頁進行擦除。這可以通過調用相關的擦除函數來實現。
配置快速編程參數:
根據需要編程的數據大小和地址范圍,配置快速編程的相關參數。
執行快速編程:
調用
FLASH_Program_Fast
函數,將源數據寫入目標地址。在寫入過程中,確保源數據位于RAM中,并且避免對Flash進行讀取操作。驗證編程結果(可選):
為了確保編程的正確性,可以對編程后的數據進行驗證。這可以通過讀取目標地址的數據并與源數據進行比較來實現。
四、注意事項
在進行快速編程時,需要確保微控制器的電源穩定,并且避免在編程過程中進行復位或中斷操作。
快速編程的速度雖然較高,但也需要根據具體的應用場景和需求來選擇合適的編程方式。例如,在需要頻繁更新代碼或數據的場景中,快速編程可以顯著提高效率;而在對編程速度要求不高的場景中,則可以選擇標準編程方式。
綜上所述,STM32G0的快速編程雖然具有一定的挑戰性,但通過合理的代碼設計和注意事項的遵循,開發者可以成功地實現快速編程并提高代碼更新的效率。
責任編輯:David
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