原標題：上海臨港發布第三代半導體支持政策：建設世界級 “東方芯港”

上海臨港新片區為了推動第三代半導體產業的發展，發布了相關支持政策，并致力于建設世界級的“東方芯港”。以下是對該政策及其目標的詳細解讀：

一、政策背景與目標

上海臨港新片區發布了《中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區集成電路產業專項規劃（2021-2025）》（簡稱《規劃》），明確提出了將上海臨港建設成為世界級的“東方芯港”的目標。《規劃》旨在通過推進重大項目落地建設，形成新片區集成電路綜合性產業創新基地的基礎框架，并構建起高水平產業生態，最終成為具有全球影響力的“東方芯港”。

二、主要發展目標

1. 產業規模：

• 到2025年，集成電路產業規模突破1000億元，芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強，芯片設計、封裝測試形成規模化集聚。

2. 人才集聚：

• 匯聚超過2-5萬名碩士以上學歷的集成電路從業人員，為產業發展提供堅實的人才支撐。

3. 企業培育：

• 引進培育5家以上國內外領先的芯片制造企業；

• 形成5家年收入超過20億元的設備材料企業；

• 培育10家以上的上市企業，并圍繞5G、CPU、人工智能、物聯網、無人駕駛等細分領域發展壯大一批獨角獸設計企業。

4. 高質量發展：

• 園區集成電路產業投資強度達到1500萬元/畝，產出強度達到1500萬元/畝，確保產業的高效益和可持續發展。

三、重點支持領域

1. EDA設計工具及關鍵IP：

• 積極引進國內外EDA工具/IP企業，支持其與龍頭設計、代工企業合作開發工藝套件。

• 支持針對汽車電子、5G、工業互聯網等重點領域的EDA工具/IP開發。

2. 關鍵核心芯片：

• 針對智能網聯新能源汽車、工業互聯網、高端裝備等臨港重點產業，配套關鍵核心芯片。

• 加強供應鏈安全需求，推動自主核心芯片研發，打造系統解決方案。

3. 高端芯片：

• 面向AI、5G射頻、功率芯片、相變存儲器（PCRAM）、阻變存儲器（RRAM）等新興領域，實現增量發展。

4. 智能傳感芯片：

• 聚焦物聯網及智能終端、無人駕駛、智慧醫療、工業互聯網等重點應用領域。

• 推動自主智能傳感器產品創新及商業化應用。

四、具體措施與進展

1. 推進工藝線建設：

• 推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設，面向5G、新能源汽車等應用場景，加快化合物半導體產品驗證應用。

2. 引進先進項目：

• 積極對接引進國內最先進工藝線放大項目，以及磁存儲器（MRAM）、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地。

3. 打造特色工藝高地：

• 堅持市場需求與技術開發相結合，推動BCD、IGBT、CIS、MEMS等特色工藝研發與產業化。

4. 產業鏈構建：

• 初步構建了寬禁帶半導體全產業鏈發展格局，涵蓋碳化硅、氮化鎵等類型，覆蓋襯底、制造、設計、設備、封測、模組、應用等全領域。

5. 產業協同創新：

• 依托龍頭企業聯合高校，建設大企業創新聯合體。

• 引進高能級科研平臺和檢測機構，支持建設檢測認證平臺。

6. 應用推廣與補貼：

• 加速碳化硅功率器件上車應用，推動整車企業與本土碳化硅芯片設計及模組企業對接。

• 對采購國產碳化硅器件的給予一定補貼。

綜上所述，上海臨港新片區通過發布第三代半導體支持政策，明確了建設世界級“東方芯港”的目標，并提出了具體的產業發展規劃、重點支持領域以及一系列具體措施。這些政策的實施將有助于推動上海臨港乃至全國第三代半導體產業的快速發展。