原標題：韓媒：三星李在镕親征荷蘭 ASML，與臺積電爭搶 EUV 光刻機設備

一、事件核心：三星董事長李在镕赴ASML總部，爭奪EUV光刻機優先供貨權

事件背景：

• EUV光刻機：極紫外光刻機（Extreme Ultraviolet Lithography）是7nm及以下先進制程芯片制造的核心設備，全球僅荷蘭ASML公司能夠生產；

• 產能稀缺：ASML年產量僅約60臺，單臺價格超1.5億美元，且需提前2-3年預訂；

• 競爭格局：臺積電占據ASML約60%的EUV設備訂單，三星僅獲約20%，導致其在先進制程上落后于臺積電。

李在镕此行目的：

• 爭取優先供貨：要求ASML將2024-2025年部分EUV設備訂單向三星傾斜；

• 技術合作深化：推動ASML與三星聯合研發下一代High-NA EUV光刻機（計劃2025年量產）；

• 地緣政治博弈：借助荷蘭與韓國的盟友關系，對抗美國對華半導體出口管制對ASML產能分配的影響。

類比說明：
EUV光刻機相當于芯片制造領域的“光刻機中的核武器”，三星與臺積電的爭奪如同“兩軍搶奪戰略武器”，直接決定未來3-5年的技術話語權。

二、技術解析：EUV光刻機為何成為“兵家必爭之地”？

1. EUV光刻機的核心價值

• 制程突破：實現7nm、5nm、3nm等先進制程的關鍵，傳統DUV光刻機無法完成；

• 成本降低：單次曝光完成多層電路印刷，減少工藝步驟（如臺積電5nm制程比7nm減少30%掩膜版）；

• 性能提升：芯片晶體管密度提升80%，功耗降低30%（如蘋果A16芯片性能較A14提升40%）。

2. ASML的壟斷地位

• 技術壁壘：EUV光刻機需集成10萬個精密零件，供應鏈涉及5000家供應商；

• 產能限制：ASML年產能僅60臺，擴產需投資20億美元/年；

• 客戶優先級：臺積電（占ASML訂單60%）、英特爾（20%）、三星（15%）形成“三國殺”。

3. 高NA EUV光刻機的未來

• 技術迭代：High-NA EUV將分辨率提升至8nm（當前EUV為13nm），支持2nm及以下制程；

• 成本飆升：單臺價格預計超4億美元，三星需提前鎖定產能以維持技術領先。

三、行業影響：三星與臺積電的“軍備競賽”

1. 三星的戰略意圖

• 追趕臺積電：臺積電已安裝超80臺EUV設備，三星僅30臺，導致3nm制程良率差距（臺積電>70%，三星<50%）；

• 客戶爭奪：吸引高通、英偉達等客戶轉移訂單（如三星計劃2024年量產3nm GAA工藝）；

• 政府支持：韓國政府承諾提供1萬億韓元補貼，支持三星擴大EUV設備采購。

2. 臺積電的應對策略

• 產能綁定：與ASML簽訂2023-2025年優先供貨協議，確保每年新增20臺EUV設備；

• 技術護城河：提前布局High-NA EUV測試線，計劃2025年量產2nm芯片；

• 地緣優勢：美國亞利桑那州工廠可規避部分出口管制，吸引蘋果等客戶。

3. ASML的平衡術

• 政治風險：需同時滿足美國（要求限制對華出口）、歐盟（本地化生產）和客戶（三星、臺積電）的需求；

• 產能分配：2024年計劃生產65臺EUV，其中臺積電35臺、英特爾15臺、三星10臺、其他5臺；

• 技術開放：向三星開放High-NA EUV聯合研發，換取其支持荷蘭半導體產業政策。

四、地緣政治與供應鏈風險

1. 美國對華出口管制的影響

• ASML受限：2023年起禁止向中國出口EUV設備，DUV設備也面臨限制；

• 產能釋放：原計劃銷往中國的10臺EUV設備轉向三星、臺積電，但需重新談判價格與交付周期；

• 反噬效應：中國加速光刻機國產化（上海微電子28nm DUV即將量產），長期或削弱ASML壟斷地位。

2. 韓國的“半導體自立”戰略

• 政策扶持：2022年通過《K-半導體產業帶法案》，提供260億美元稅收優惠；

• 本土化目標：計劃2030年將EUV光刻機零部件國產化率從10%提升至50%；

• 風險對沖：與日本東京電子合作開發光刻膠等材料，減少對ASML供應鏈依賴。

3. 全球半導體格局重構

• 三國鼎立：美國（設計）、東亞（制造）、歐洲（設備）形成新三角關系；

• 技術分裂：先進制程設備與材料可能形成“西方聯盟”與“中國體系”兩大陣營；

• 成本上升：EUV設備漲價、物流延遲等因素將推高芯片價格（預計2024年漲價10%-15%）。

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五、未來展望：EUV光刻機之戰的勝負手

1. 短期（2024-2025年）

• 三星能否突圍：若獲得ASML新增15臺EUV訂單，3nm良率有望提升至60%，威脅臺積電地位；

• 臺積電防御戰：通過High-NA EUV量產2nm芯片，鞏固高端市場話語權。

2. 中期（2026-2030年）

• 技術代差：High-NA EUV普及后，未掌握該技術的廠商將被擠出先進制程競爭；

• 中國破局：若上海微電子等企業突破28nm DUV技術，可能倒逼ASML放寬對華出口。

3. 長期（2030年+）

• 新光刻技術：電子束光刻（EBL）、納米壓印（NIL）等技術可能替代EUV；

• 供應鏈重構：半導體產業向東南亞、印度等地區分散，降低地緣風險。

六、結論：EUV光刻機——半導體戰爭的“原子彈”

李在镕親征ASML，本質是三星在技術主權爭奪戰中的關鍵一役。這場博弈的輸贏，將決定：

1. 全球半導體話語權：三星能否從“代工廠”升級為“技術定義者”；

2. 地緣政治籌碼：韓國能否在中美競爭中保持戰略自主；

3. 產業鏈安全：全球半導體供應鏈是否會走向“碎片化”。

最終啟示：
EUV光刻機之戰不僅是商業競爭，更是國家科技實力的象征。對于中國而言，加速光刻機國產化、突破“卡脖子”技術，是避免未來被徹底排除在全球半導體產業鏈之外的關鍵。