作為全球功率半導(dǎo)體與模擬芯片領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，羅姆（ROHM）發(fā)布的下一代汽車駕駛艙解決方案白皮書，聚焦“高集成、低功耗、高安全”三大技術(shù)維度，為智能座艙的多屏融合、AI交互、域控架構(gòu)等場景提供底層支撐。以下從技術(shù)突破、產(chǎn)品方案、客戶價值、生態(tài)合作四大層面展開分析，揭示羅姆如何賦能汽車產(chǎn)業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。

一、技術(shù)突破：解構(gòu)下一代駕駛艙的核心矛盾

隨著智能座艙向“第三生活空間”演進，羅姆提出三大技術(shù)攻關(guān)方向：

1. 性能與能效的平衡難題

• 矛盾點：4K/8K屏、多攝像頭、AI語音等需求推動座艙SoC算力年增30%，但整車能耗需下降15%（歐盟2030年碳排放法規(guī)驅(qū)動）。

• 羅姆方案：

• 功率器件創(chuàng)新：采用SiC（碳化硅）替代IGBT，開關(guān)損耗降低75%，支持域控模塊無風(fēng)扇散熱。

• 電源管理芯片（PMIC）集成化：單芯片集成Buck/Boost/LDO，效率達96%，減少外圍器件30%。

2. 硬件冗余與成本控制的博弈

• 矛盾點：ASIL-D功能安全要求雙核鎖步、冗余供電設(shè)計，但BOM成本需壓縮20%以上（車企降本壓力）。

• 羅姆方案：

• 傳感器融合芯片：集成MEMS麥克風(fēng)陣列、壓力傳感器信號調(diào)理電路，精度±0.5%，成本降低40%。

• 封裝技術(shù)革新：采用2.5D/3D封裝，實現(xiàn)電源、驅(qū)動、MCU的Chiplet（小芯片）集成，體積縮小50%。

3. 多操作系統(tǒng)（OS）并發(fā)的安全挑戰(zhàn)

• 矛盾點：儀表盤（QNX）、中控屏（Linux）、副駕屏（Android）需隔離運行，但時延需<50ms（HMI交互要求）。

• 羅姆方案：

• 硬件級虛擬化支持：在PMIC中集成隔離電源域，為不同OS提供獨立供電與監(jiān)控，故障隔離時間<1μs。

• 安全啟動芯片：內(nèi)置加密引擎，支持OTA升級中的安全回滾，抗攻擊能力達EAL5+級。

二、產(chǎn)品矩陣：從芯片到系統(tǒng)的全棧解決方案

羅姆通過“功率器件+模擬芯片+傳感器”三大產(chǎn)品線協(xié)同，構(gòu)建下一代駕駛艙的底層技術(shù)底座：

1. 核心產(chǎn)品：高能效顯示與電源管理

2. 差異化產(chǎn)品：SiC功率模塊與安全芯片

• TRCDRIVEpack SiC模塊：

• 特性：導(dǎo)通電阻降低60%，支持400V/800V雙電壓平臺，散熱效率提升40%。

• 應(yīng)用：48V輕混系統(tǒng)、域控制器主動散熱。

• BM61xx柵極驅(qū)動IC：

• 特性：內(nèi)置米勒鉗位、短路保護，兼容SiC/IGBT混合驅(qū)動，故障響應(yīng)時間<100ns。

• 應(yīng)用：特斯拉Model 3/Y座艙域控電源模塊。

三、客戶價值：性能、成本與安全的量化提升

1. 性能提升：從“可用”到“極致體驗”

• 4K屏背光功耗：從15W（全局調(diào)光）降至8W（局部調(diào)光），對比度提升3倍。

• 域控啟動時間：從3.2s（冷啟動）縮短至1.8s（快速啟動），支持多屏同步渲染。

• 語音識別準確率：方言識別準確率從82%提升至95%，抗噪聲能力提升20dB。

2. 成本優(yōu)化：從“分立”到“集成”的降本路徑

• BOM成本：通過PMIC集成化，分立器件數(shù)量從12顆減少至5顆，成本降低21.6%。

• 開發(fā)周期：基于AEC-Q100/ISO 26262雙認證芯片，量產(chǎn)導(dǎo)入時間從9-12個月縮短至6個月。

3. 安全增強：從“ASIL-B”到“ASIL-D”的跨越

• 功能安全：內(nèi)置硬件冗余供電、看門狗定時器，故障恢復(fù)時間<10ms。

• 信息安全：支持國密算法（SM2/SM3/SM4），抵御側(cè)信道攻擊能力達EAL5+級。

四、生態(tài)合作：開放平臺與聯(lián)合創(chuàng)新

1. 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：芯片-算法-終端一體化

• 與NXP合作：基于i.MX系列SoC開發(fā)智能座艙開發(fā)平臺，支持多屏異顯與AR-HUD融合。

• 與黑芝麻智能合作：集成A2000自動駕駛芯片，實現(xiàn)座艙域與智駕域的算力共享。

• 與Unity合作：優(yōu)化3D引擎在低功耗芯片上的渲染效率，支持8K@120Hz實時交互。

2. 技術(shù)路線圖：2024-2028年演進方向

• 2024年：量產(chǎn)第三代SiC MOSFET，導(dǎo)通電阻<1mΩ·cm2，支持1200V電池平臺。

• 2025年：推出2.5D封裝多核PMIC，集成AI加速器（NPU），算力達10TOPS，功耗<5W。

• 2026年：探索光子芯片（PIC）與AR-HUD光路集成，體積縮小80%，成本降低50%。

五、結(jié)語：羅姆的“芯”戰(zhàn)略與行業(yè)影響

在汽車行業(yè)從“功能車”向“智能移動終端”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵期，羅姆通過底層材料創(chuàng)新（SiC/GaN）、芯片級集成（Chiplet）、系統(tǒng)級優(yōu)化（電源管理），為下一代駕駛艙提供了高能效、高可靠、高靈活的解決方案。無論是多屏異顯的視覺革命、自然交互的AI體驗，還是低碳出行的能源革命，羅姆的技術(shù)正助力車企與Tier1廠商搶占智能座艙的制高點。

如需獲取白皮書全文或技術(shù)方案咨詢，可直接聯(lián)系羅姆汽車電子事業(yè)部，或通過授權(quán)代理商（如安富利、艾睿電子）獲取定制化解決方案與樣品支持。