ads8689數(shù)據(jù)手冊


ADS8689 數(shù)據(jù)手冊
1. 產(chǎn)品概述
ADS8689 是德州儀器(TI)推出的一款高性能、低功耗的16 位多通道逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC),集成了高精度電壓參考、多路輸入復(fù)用器及高速采樣保持電路。器件通過先進的工藝制程和優(yōu)化的電路布局,實現(xiàn)了在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行,同時兼顧了精準度和動態(tài)性能,使其在工業(yè)自動化、數(shù)據(jù)采集、傳感器讀出、通信基站、測試測量設(shè)備等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。ADS8689 支持多達八路差分或單端輸入,可通過內(nèi)部復(fù)用器快速切換通道,無需外部多路開關(guān),大幅簡化系統(tǒng)設(shè)計。器件最大采樣速率可達 200 kSPS,內(nèi)部提供可編程采樣模式,適配單次轉(zhuǎn)換與連續(xù)掃描需求;同時,內(nèi)置精密的 2.5 V 基準電源,溫度系數(shù)低于 2 ppm/°C,典型初始準確度達 ±0.1%,可確保測量結(jié)果在長期運行中的一致性。通過 SPI 總線與主控器件通信,兼容多種時鐘相位和極性設(shè)置,接口靈活易用。ADS8689 還具備自動校準功能,能夠在上電或特定轉(zhuǎn)換次數(shù)后自動校正內(nèi)部失配,進一步減少整體系統(tǒng)誤差。憑借出色的性價比和穩(wěn)定可靠的性能,該器件已廣泛應(yīng)用于高精度數(shù)據(jù)采集、過程控制和智能監(jiān)測等場景。
2. 主要特性
高分辨率與高線性度
ADS8689 提供 16 位分辨率,使用逐次逼近寄存器架構(gòu),大幅降低了轉(zhuǎn)換時間與功耗,并在滿量程范圍內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)異的直線度。典型無失調(diào)誤差(INL)與無游移誤差(DNL)均小于 ±1 LSB,可滿足各類高精度測量需求。
多通道輸入與快速復(fù)用
器件內(nèi)置八路差分或單端輸入通道,通過片內(nèi)多路復(fù)用器實現(xiàn)通道切換,無需外部多路復(fù)用器,減少電路板面積和系統(tǒng)成本。通道復(fù)用開關(guān)延遲極短,保證了快速掃描時的穩(wěn)定性和準確度。
高采樣速率與靈活模式
支持 最高 200 kSPS 的采樣速率,適用于高速數(shù)據(jù)采集場景。用戶可根據(jù)應(yīng)用需求,通過寄存器配置實現(xiàn)單次轉(zhuǎn)換模式或連續(xù)掃描模式,并可選擇不同采樣時鐘分頻,以平衡帶寬與功耗。
SPI 接口與靈活通信
兼容標(biāo)準四線 SPI 通信協(xié)議,最高時鐘頻率可達 50 MHz。支持多種時鐘相位(CPHA)和極性(CPOL)設(shè)置,并提供片選(CS)管腳,可與多種主控器件(MCU、DSP、FPGA)無縫集成。
內(nèi)置高精度基準電源
集成 2.5 V 精密參考電源,典型精度 ±0.1%,溫漂不超過 2 ppm/°C,有效降低外部參考源誤差對系統(tǒng)性能的影響。用戶可通過使能腳選擇使用內(nèi)部或外部參考。
低功耗設(shè)計與自動校準
在 200 kSPS 高速模式下,功耗典型為 7.5 mW;在低速模式下,功耗進一步下降,適合電池供電和便攜式測量系統(tǒng)。器件上電或轉(zhuǎn)換次數(shù)達到設(shè)定值后,可自動進行內(nèi)部失配校準,確保長期運行下的測量一致性。
3. 引腳配置與功能說明
VDD
數(shù)字電源輸入引腳,輸入電壓范圍為 2.7 V 至 5.5 V。該引腳為內(nèi)部數(shù)字邏輯、寄存器和 SPI 接口提供電源,建議在 VDD 引腳與地之間并聯(lián)適當(dāng)大小的高頻和低頻電容,以確保電源穩(wěn)定性和抑制噪聲。
VREF
基準電壓輸入/輸出引腳。器件內(nèi)部參考使能時,VREF 輸出精密 2.5 V 電壓;如需外部參考,可通過設(shè)置寄存器模式將 VREF 配置為參考輸入端,兼容范圍 2.0 V 至 3.6 V,以滿足不同系統(tǒng)對參考電壓的需求。
AIN0~AIN7
模擬輸入通道引腳,共八個。支持差分輸入(AINx 與 AIN(x+4) 配對)與單端輸入模式,可通過配置寄存器選擇輸入類型。輸入結(jié)構(gòu)采用采樣保持電路,可自動對輸入信號進行采樣并在轉(zhuǎn)換期間內(nèi)部隔離,以降低輸入信號源阻抗帶來的精度誤差。
SCLK/MCLK
串行時鐘輸入引腳,為 SPI 通信提供時序基準。用戶可根據(jù)系統(tǒng)時鐘性能需求,將 SCLK 設(shè)置在 0 至 50 MHz 范圍內(nèi),SPI 時鐘極性和相位參數(shù)可編程,以適配不同主控設(shè)備的時序要求。
SDI
串行數(shù)據(jù)輸入引腳。主控設(shè)備在轉(zhuǎn)換周期開始前,通過 SDI 向 ADS8689 寫入控制字和寄存器地址,用于配置通道選擇、轉(zhuǎn)換模式和參考源等參數(shù)。
SDO
串行數(shù)據(jù)輸出引腳。在每次轉(zhuǎn)換完成后,ADC 將 16 位轉(zhuǎn)換結(jié)果通過 SDO 以 MSB 先行的方式輸出,主控器件可根據(jù)時鐘和片選信號時序讀取完整數(shù)據(jù)。
CS
片選控制引腳,低電平有效。當(dāng) CS 引腳為低電平時,器件進入激活狀態(tài)并準備接收/輸出數(shù)據(jù);在高電平時,內(nèi)部數(shù)字電路進入待機狀態(tài),以進一步降低功耗并防止總線沖突。
4. 功能框圖
ADS8689 的內(nèi)部功能框圖清晰展示了器件各模塊之間的信號流動與邏輯關(guān)系。首先,外部模擬信號通過多路復(fù)用器進入采樣保持電路,保持電路由高帶寬采樣開關(guān)與儲能電容組成,能夠快速對輸入信號進行采樣并鎖存電壓值。鎖存后的信號首先進入采樣放大器級,以提高信號驅(qū)動能力并隔離后續(xù)的比較器噪聲。隨后,逐次逼近寄存器(SAR)核心開始工作:SAR 邏輯控制數(shù)字比較器,依次對電容陣列充放電,比較器輸出結(jié)果反饋給 SAR 邏輯以修正內(nèi)部 DAC 電平。經(jīng)過 16 次采樣與比較閉環(huán)后,SAR 邏輯生成最終的數(shù)字碼。該數(shù)字碼通過輸出寄存器暫存,并在時鐘沿觸發(fā)下經(jīng) SPI 接口(SDO 引腳)傳輸至外部主控。整個過程具備極低的時鐘抖動敏感度與開關(guān)噪聲,以保證高精度轉(zhuǎn)換。
5. 工作原理及內(nèi)部架構(gòu)
ADS8689 采用逐次逼近型(SAR)架構(gòu),它在功耗、性能和實現(xiàn)復(fù)雜度之間取得了良好平衡。其基本工作流程如下:
采樣保持:在采樣周期開始時,模擬多路復(fù)用器根據(jù)配置寄存器的通道選擇信號連接對應(yīng)輸入通道;采樣開關(guān)導(dǎo)通,將輸入信號加載到內(nèi)部采樣電容上,并在后續(xù)比較階段保持該電壓值。
逐次逼近轉(zhuǎn)換:內(nèi)部 SAR 邏輯首先將 DAC 電容陣列的最高權(quán)重電容充至 VREF/2,并與采樣保持電容電壓進行比較;比較器輸出決定該位的取值。之后 SAR 邏輯根據(jù)比較結(jié)果更新電容電荷,依次調(diào)整下一個權(quán)重電容,重復(fù) 16 次,直至完成全部位的判決。
數(shù)字輸出:SAR 邏輯完成所有位判斷后,將結(jié)果寫入輸出寄存器。主控設(shè)備在 SPI 時鐘沿下,通過拉低 CS 并驅(qū)動 SCLK,從 SDO 引腳按 MSB 到 LSB 順序讀取 16 位轉(zhuǎn)換結(jié)果。
自動校準與校正:ADS8689 內(nèi)置自校準功能,在上電或用戶設(shè)置的轉(zhuǎn)換周期間隔后,內(nèi)部將依次進行偏置校準與增益校準。具體來說,器件在內(nèi)部短接輸入與 VREF,通過內(nèi)部通道測量與理想值的偏差,自動調(diào)整寄存器偏置與倍率系數(shù),以補償電路失配和環(huán)境漂移影響。
數(shù)字控制與寄存器接口:除了基本轉(zhuǎn)換功能外,ADS8689 的 SPI 接口還可用于配置轉(zhuǎn)換模式、參考源選擇、通道掃描順序、功耗模式切換等。內(nèi)部寄存器映射清晰,寫讀操作僅需 24 位控制字,通過 SDI 輸入并在同一 SPI 周期內(nèi)更新設(shè)置。
6. 性能參數(shù)及規(guī)格
為了精準評估 ADS8689 的性能指標(biāo),以下列舉關(guān)鍵參數(shù)并結(jié)合典型值與應(yīng)用場景進行說明:
分辨率與精度
器件提供 16 位分辨率,對應(yīng)滿量程 (FSR) 的 65,536 個離散電平。典型無失調(diào)誤差(Offset Error)小于 ±1 LSB,無失真誤差(DNL)和無積分非線性誤差(INL)均優(yōu)于 ±1 LSB。該精度水平在精密測量、溫度傳感及低速控制系統(tǒng)中表現(xiàn)卓越,能夠分辨微小信號變化。
動態(tài)性能
在 200 kSPS 采樣速率下,典型總諧波失真(THD)為 -98 dB,總諧波與噪聲比(THD+N)優(yōu)于 98 dB,信噪比(SNR)達到 96 dB。無雜散動態(tài)范圍(SFDR)可達 110 dB,滿足無線通信和頻譜分析系統(tǒng)對動態(tài)范圍的高要求。
溫度漂移與工作溫度
器件溫度系數(shù) (TC) 經(jīng)優(yōu)化設(shè)計,參考源溫漂低于 2 ppm/°C。ADC 精度在 -40°C 至 +125°C 范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,無需外部溫度補償電路,即可應(yīng)用于工業(yè)級環(huán)境。
電源電流與功耗
在 200 kSPS 模式下,數(shù)字電源電流典型值為 3 mA,模擬+參考電源電流約 3 mA,整體功耗典型 7.5 mW。用戶可將器件置于待機模式,關(guān)閉采樣電路與參考,功耗降至微安級,適合電池供電場景。
輸入范圍與阻抗
模擬輸入通道支持 ±VREF 范圍,單端模式下輸入電壓范圍為 0 至 VREF,差分模式下為 ±VREF。輸入阻抗約 3 kΩ(典型),并提供輸入放大器以降低源阻抗對精度的影響。
時序與吞吐量
通過可編程分頻器,支持不同的采樣時鐘分辨率設(shè)置,使吞吐量與帶寬達到最優(yōu)平衡。最大轉(zhuǎn)換延遲小于 5 μs,可滿足實時系統(tǒng)對快速響應(yīng)的需求。
7. 典型應(yīng)用電路
下面給出三個典型示例,以幫助讀者在不同場景中快速集成 ADS8689:
工業(yè)過程控制與數(shù)據(jù)采集
在 PLC 或分布式控制系統(tǒng)中,用于采集各種模擬傳感器(溫度、電流、電壓)的信號。典型電路包括傳感器信號經(jīng)精密運算放大器隔離后連接至 ADS8689 輸入通道,多通道復(fù)用器使系統(tǒng)能夠輪流掃描多路現(xiàn)場信號。
橋式傳感器測量
應(yīng)用于壓力傳感器、稱重傳感器等橋式器件。通過前端差動放大器將微弱差分信號提升至適用于 ADC 的電平,并經(jīng)過 RC 濾波后輸入,充分利用 ADS8689 的差分輸入和高分辨率優(yōu)勢,實現(xiàn)微伏級別測量。
通信基站監(jiān)測與頻譜分析
在無線通信基站中,用于監(jiān)控射頻功率或環(huán)境噪聲。結(jié)合高速采樣與高動態(tài)范圍特性,可將射頻檢測器輸出經(jīng)過帶通濾波與包絡(luò)檢波后輸入 ADS8689,實現(xiàn)實時功率監(jiān)測與告警。
8. 電氣特性曲線
在設(shè)計階段,參考電氣特性曲線能夠幫助工程師快速評估器件性能:
INL 與 DNL 曲線:展示在滿量程范圍內(nèi)非線性誤差隨輸入電壓變化的曲線,可用于評估系統(tǒng)線性度余量。
SNR 與 THD+N 隨采樣速率曲線:顯示在不同采樣速率下信噪比與諧波噪聲比的變化趨勢,幫助平衡速度與精度。
功耗隨采樣模式變化曲線:包含連續(xù)模式、單次模式與待機模式下的功耗曲線,為低功耗設(shè)計提供依據(jù)。
參考電壓輸出精度隨溫度變化曲線:反映內(nèi)部參考在全溫度范圍內(nèi)的輸出穩(wěn)定性,可用于評估系統(tǒng)對溫度漂移的容忍度。
9. 布局與布線建議
在高精度 ADC 設(shè)計中,PCB 布局與布線往往是影響系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素之一。為了最大限度降低噪聲耦合、串?dāng)_和地彈等問題,以下是一些實用的布局與布線建議:
模擬與數(shù)字地分離
將模擬地(AGND)與數(shù)字地(DGND)分開走線,避免數(shù)字開關(guān)電流對模擬地的干擾。在芯片附近設(shè)置星形接地點,將兩者在電源入口處匯合。電源去耦與濾波
在 VDD、VREF 及模擬輸入通道旁緊鄰布置去耦電容。建議在 VDD 引腳與地之間并聯(lián)一個 0.1 μF 陶瓷電容和一個 10 μF 低漏電電解電容;在 VREF 引腳處添加高精度 1 μF 陶瓷電容,以保證基準源的穩(wěn)定性。輸入信號走線優(yōu)化
對差分輸入信號使用平衡走線,保持走線寬度和間距一致,避免外部 EMI 干擾。在靠近 ADC 輸入端放置小信號 RC 濾波網(wǎng)絡(luò),以衰減高頻噪聲并防止采樣開關(guān)尖峰。數(shù)字信號與模擬信號分層走線
在多層板設(shè)計中,將模擬信號層和數(shù)字信號層分開,盡量將高速 SPI 時鐘線、片選線和數(shù)據(jù)線布置在數(shù)字層,并在數(shù)字層和地層之間留足銅皮。散熱與機械布局
ADS8689 的功耗雖低,但當(dāng)多路高速轉(zhuǎn)換時仍會產(chǎn)生一定熱量。建議在芯片下方留出通孔或銅箔散熱區(qū),并在 PCB 邊緣預(yù)留風(fēng)道,以增強散熱效果。
10. 封裝信息與機械尺寸
ADS8689 提供緊湊的 TSSOP-28 封裝,封裝表面平整,焊盤易于波峰焊或回流焊工藝。下表列出封裝關(guān)鍵尺寸:
引腳數(shù):28
封裝類型:TSSOP
引腳間距:0.65 mm
封裝寬度:6.4 mm(最大)
封裝長度:9.7 mm(最大)
封裝高度:1.2 mm(最大)
另外,推薦焊盤尺寸為 0.4 mm × 1.2 mm,且焊盤間距保持 0.65 mm,以確保良好的焊接可靠性和可重復(fù)裝配性能。
11. 環(huán)境及可靠性測試
為滿足工業(yè)級應(yīng)用要求,ADS8689 在設(shè)計和生產(chǎn)過程中需通過一系列環(huán)境與可靠性測試:
溫度循環(huán)測試(Thermal Cycling)
將封裝器件在 -65°C 至 +150°C 溫度范圍內(nèi)循環(huán)多次,以驗證封裝和內(nèi)部焊接可靠性。高溫存儲測試(High-Temperature Storage)
在 150°C 下持續(xù)存儲 1000 小時,評估封裝材料和內(nèi)部電路的長期穩(wěn)定性。高加速應(yīng)力測試(HAST)
在 130°C、85% 相對濕度條件下施加加速應(yīng)力,檢測器件的密封性和防潮性能。振動與機械沖擊測試
模擬實際運輸和現(xiàn)場使用中的機械沖擊與振動,以確保器件在各種環(huán)境中的機械強度。壽命可靠性測試(Life Test)
按照 JEDEC 標(biāo)準,評估長期連續(xù)工作時的電氣性能漂移,包括偏置、增益和噪聲指標(biāo)的變化。
12. 常見問題及故障排查
以下列舉一些設(shè)計和調(diào)試過程中可能遇到的問題及解決方法:
問題:讀取數(shù)據(jù)不穩(wěn)定或噪聲較大
原因:模擬地與數(shù)字地未分離,EMI 干擾。
解決方法:重新規(guī)劃地線走向,采用星形接地,并在關(guān)鍵節(jié)點增加濾波。問題:基準電壓不穩(wěn)定
原因:VREF 去耦不足或外部參考未與內(nèi)部參考正確切換。
解決方法:增大 VREF 附近去耦電容容量,檢查寄存器設(shè)置以確認內(nèi)部/外部參考模式。問題:采樣速率達不到預(yù)期
原因:SPI 時鐘頻率或時序設(shè)置有誤。
解決方法:確認 SCLK 頻率和 SPI 時序參數(shù)(CPOL/CPHA)與寄存器配置一致。問題:溫度漂移超出規(guī)格
原因:環(huán)境溫度補償不足或器件工作超出額定溫度范圍。
解決方法:在關(guān)鍵測量鏈路增加溫度傳感器并進行軟件校正,確保工作溫度在 -40°C 至 +125°C 之間。
13. 外部資源與參考文獻
德州儀器官方網(wǎng)站 ADS8689 產(chǎn)品頁面與數(shù)據(jù)手冊下載鏈接
JEDEC 標(biāo)準文檔(JESD22)
《模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計與應(yīng)用實用手冊》, TI 應(yīng)用筆記
《高精度 ADC 電路設(shè)計指南》, EETimes 雜志專題
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。