場效應管和MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）在廣義和狹義上存在不同的理解。

廣義理解

在廣義上，場效應管（Field Effect Transistor，FET）是一個更為寬泛的概念，它包括了所有利用電場效應來控制半導體中電流的器件。這類器件的共同特點是具有三個電極：柵極、源極和漏極，其中柵極通過電場來控制源極和漏極之間的導電溝道，從而控制電流的大小。在這個廣義的理解下，MOS管是場效應管的一種，即具有金屬-氧化物-半導體結構的場效應管。

狹義理解

在狹義上，場效應管有時特指結型場效應管（Junction Field Effect Transistor，JFET），它與MOS管在結構和工作原理上有所不同。JFET是通過PN結的反向偏置來控制導電溝道的寬度，而MOS管則是通過金屬氧化物絕緣層下方的半導體中的感應電荷來控制導電溝道。因此，在狹義的理解下，場效應管和MOS管不是同一個東西，而是兩種不同的場效應晶體管類型。

總結

綜上所述，場效應管和MOS管的關系取決于理解的角度。在廣義上，MOS管是場效應管的一種；在狹義上，場效應管特指JFET，與MOS管有所不同。在實際應用中，通常根據具體的器件類型和工作原理來區分這兩種器件。因此，當提到場效應管時，需要明確是指廣義上的概念還是狹義上的結型場效應管。