場效應管（FET，Field Effect Transistor）的三個電極分別是柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。以下是對這三個電極的圖解說明：

電極位置與功能

1. 柵極（G，Gate）：

• 位置：通常位于源極和漏極之間，且與其他兩個電極絕緣。

• 功能：控制電極，通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。

2. 源極（S，Source）：

• 位置：在FET中，源極通常與柵極相近，是電流輸入的一端。

• 功能：為FET提供輸入電流，并與柵極一起形成導電溝道。

3. 漏極（D，Drain）：

• 位置：位于源極的另一側，是電流輸出的一端。

• 功能：接收從源極經過導電溝道流過的電流，并將其輸出到外部電路。

圖解示例

（由于文字描述的限制，無法直接給出圖形，但以下描述可以幫助您在腦海中構建場效應管的電極布局）

• 想象一個平面圖形，其中柵極位于中間，呈條形或點狀，與其他部分絕緣。

• 源極和漏極分別位于柵極的兩側，它們之間通過一條假設的“導電溝道”相連（在FET未工作時，這條溝道并不真正存在，而是由柵極電壓控制開啟或關閉）。

• 當柵極施加適當的電壓時，源極和漏極之間的導電溝道打開，允許電流從源極流向漏極。

注意事項

• 在實際電路中，場效應管的電極布局和形狀可能因具體型號和封裝形式而有所不同。但無論何種形式，其基本原理和功能都是相同的。

• 在使用場效應管時，應注意其極性（N溝道或P溝道）以及柵極電壓的控制范圍，以確保電路的正常工作。

綜上所述，場效應管的三個電極分別是柵極、源極和漏極，它們各自承擔著不同的功能，在電路中共同協作以實現電壓控制電流的目的。