MOS驅動器柵極（G）與源極（S）之間并聯電容的作用主要包括以下幾個方面：

一、穩定柵極信號

并聯電容能夠穩定柵極信號，特別是在高頻電路中，它可以有效地減少柵極電壓的波動，從而確保驅動信號的穩定性和可靠性。這對于提高電路的整體性能和穩定性至關重要。

二、降低噪聲干擾

在電路中，噪聲干擾是一個常見的問題。柵極與源極之間并聯的電容可以吸收和釋放電荷，從而減小柵極電壓的波動，進而降低噪聲干擾對電路的影響。這對于提高電路的抗干擾能力和信號完整性具有重要意義。

三、減小開關損耗

在MOSFET的開關過程中，柵極與源極之間的電容需要進行充電和放電。雖然這個過程不能很快完成，但適當的并聯電容可以優化開關過程中的電荷分布，從而減小開關損耗。這對于提高電路的效率和可靠性非常有幫助。

四、防止誤導通

在高速開關電路中，高dv/dt（漏源電壓Vds的變化率）可能導致MOSFET誤導通。通過在柵極與源極之間并聯電容，可以增大柵源極電容Cgs，從而變相減小柵極電壓Vgs，有效防止因高dv/dt引起的誤導通問題。這對于保護電路免受損壞和提高電路的可靠性至關重要。

五、提高電路穩定性

并聯電容還可以提高電路的穩定性。在電路中，由于各種因素的影響，柵極電壓可能會產生波動。通過并聯電容，可以減小這種波動，從而提高電路的穩定性。這對于確保電路在各種條件下都能正常工作非常重要。

綜上所述，MOS驅動器柵極與源極之間并聯電容的作用主要包括穩定柵極信號、降低噪聲干擾、減小開關損耗、防止誤導通以及提高電路穩定性等方面。這些作用共同確保了電路的高性能和可靠性。然而，需要注意的是，并聯電容的電容值需要根據具體的電路設計需求和工作條件來確定，以避免潛在的風險和問題。