安森美MURS160T3G超快恢復二極管中文資料

一、型號與類型

安森美（ON Semiconductor）生產的MURS160T3G是一款超快恢復二極管，屬于快速/超快功率整流器系列。這款二極管以其卓越的性能和廣泛的應用領域，在電子行業中享有很高的聲譽。MURS160T3G的型號明確指出了其主要特性和應用領域，其中“MURS”是安森美特定系列產品的標識，“160”可能代表某種特定的性能參數或規格，“T3G”則可能是版本或具體型號的標識。

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：超快恢復二極管

　　中文描述： 二極管，最大連續正向電流2A，峰值反向重復電壓600V，表面貼裝安裝，DO-214AA(SMB)封裝，2引腳

　　英文描述： Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SMB T/R

　　數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k02-24419139-MURS160T3G.html

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　　MURS160T3G概述

　　MURS160T3G是一款表面安裝超快速功率整流器，帶有環氧樹脂模制外殼，所有外部表面均耐腐蝕，端子引線易于焊接.非常適合高壓，高頻率整流或續流，以及表面安裝應用中的保護，這些應用的體積小，重量輕.

　　極性條帶表示陰極引線

　　高溫玻璃鈍化結

　　低正向電壓壓降

　　13°C/W結至引線熱阻

　　應用

　　電源管理，安全

　　MURS160T3G中文參數 

　　MURS160T3G引腳圖

二、工作原理

MURS160T3G超快恢復二極管的工作原理基于PN結的特性。與普通二極管類似，它也具有兩個主要區域：P型半導體和N型半導體，它們之間形成了一個PN結。然而，與普通二極管不同的是，MURS160T3G采用了PIN結型結構，即在P型硅材料與N型硅材料之間增加了一個薄的基區I（本征半導體層），這種結構使得二極管在反向恢復時能夠更快地恢復到截止狀態，從而實現了超快的反向恢復速度。

當二極管正向偏置時，即P區接正極，N區接負極，PN結中的內建電場被削弱，電子從N區流向P區，空穴從P區流向N區，形成正向電流。此時，二極管處于導通狀態，其正向壓降相對較低。而當二極管反向偏置時，即P區接負極，N區接正極，PN結中的內建電場增強，阻止了電子和空穴的流動，二極管處于截止狀態。

特別地，當二極管從正向偏置切換到反向偏置時，由于PIN結中的基區I非常薄，反向恢復電荷很小，因此反向恢復時間（trr）非常短，可以達到幾十納秒甚至更低。這使得MURS160T3G在高頻應用中具有顯著的優勢。

三、特點

1. 超快恢復速度：MURS160T3G的反向恢復時間極短，通常低于75納秒，甚至可以達到更低的水平。這使得它在高頻電路中能夠迅速響應，減少開關損耗和電磁干擾。

2. 高耐壓能力：該二極管具有高達600V的峰值反向重復電壓，能夠承受較高的反向工作電壓，適用于高壓應用場合。

3. 低正向電壓降：在正向導通時，MURS160T3G的正向電壓降較低，通常不超過1.25V，有助于降低電路中的功耗。

4. 高溫穩定性：該二極管具有優異的高溫穩定性，能夠在-65℃至+175℃的寬溫度范圍內正常工作，滿足各種惡劣環境下的應用需求。

5. 表面貼裝安裝：MURS160T3G采用DO-214AA（SMB）封裝形式，適合表面貼裝安裝，便于自動化生產和集成到小型化電子設備中。

6. 高可靠性：安森美作為半導體行業的領先企業，其產品在設計和制造過程中均遵循嚴格的質量控制標準，確保了MURS160T3G的高可靠性和長壽命。

四、應用

MURS160T3G超快恢復二極管因其卓越的性能和廣泛的應用領域而備受青睞。以下是一些典型的應用場景：

1. 開關電源：在開關電源中，MURS160T3G作為高頻整流二極管使用，能夠有效地降低開關損耗和電磁干擾，提高電源效率。

2. PWM脈寬調制器：在PWM脈寬調制器中，MURS160T3G的快速恢復特性使得它能夠快速響應PWM信號的變化，確保電路的穩定性和可靠性。

3. 變頻器：在變頻器中，MURS160T3G作為續流二極管或阻尼二極管使用，能夠有效地抑制電流波動和電壓尖峰，保護電路中的其他元件。

4. 電源管理：在電源管理系統中，MURS160T3G可用于整流、續流和保護等多種功能，提高系統的整體性能和可靠性。

5. 工業應用：在工業自動化設備、電力電子設備等領域中，MURS160T3G也有廣泛的應用，如電機驅動、逆變器等。

五、參數

以下是MURS160T3G超快恢復二極管的主要參數：

• 額定電壓（DC）：600V

• 額定電流：1.00A（實際最大正向電流可達2A）

• 正向電壓（Max）：1.25V

• 反向恢復時間（trr）：75ns（超快恢復）

• 封裝形式：DO-214AA（SMB），這是一種緊湊的表面貼裝封裝，非常適合自動化生產和高密度電路設計。

• 熱阻（結到環境）：具體數值可能根據具體封裝和散熱條件有所不同，但通常在幾十到幾百K/W之間，這表示二極管在散熱方面的性能。

• 最大工作溫度：+175°C（通常情況下），這是二極管能夠安全工作的最高溫度，超過此溫度可能會導致性能下降或損壞。

• 存儲溫度范圍：通常涵蓋很寬的范圍，如-65°C至+150°C，這表示二極管在存儲和運輸過程中能夠耐受的溫度范圍。

• 反向漏電流（IR）：在特定反向電壓下（如額定電壓），通過二極管的反向電流。對于MURS160T3G，這個值通常非常低，以微安（μA）或納安（nA）為單位。

• 電容特性：包括結電容（Cj）和擴散電容（Cd），這些參數會影響二極管在高頻電路中的性能。MURS160T3G由于其超快恢復特性，通常具有相對較低的結電容，有助于減少高頻損耗。

• 軟恢復特性：雖然“超快恢復”通常指的是極短的反向恢復時間，但MURS160T3G還可能在軟恢復方面表現優異。軟恢復意味著在反向恢復過程中，電流和電壓的變化較為平滑，減少了開關過程中的電磁干擾（EMI）和電壓過沖。

• 正向浪涌電流能力：表示二極管在短時間內能夠承受的電流峰值，這對于處理啟動浪涌或瞬態電流的應用尤為重要。

• 重復峰值反向電壓（VRRM）：這是二極管在反向偏置下能夠承受的最大重復峰值電壓，對于MURS160T3G來說，這個值是600V。

• 反向擊穿電壓（VBR）：這是二極管在反向偏置下發生雪崩擊穿之前的電壓值。雖然MURS160T3G在VRRM下工作，但了解其反向擊穿電壓對于理解其極限性能和設計安全裕量是有幫助的。

六、設計考慮與選型

在選擇MURS160T3G或任何超快恢復二極管時，設計者需要考慮多個因素以確保最佳性能和可靠性。以下是一些關鍵的設計考慮因素：

1. 反向恢復時間：根據應用需求選擇合適的反向恢復時間。在高頻或高速開關應用中，超快恢復二極管是首選。

2. 額定電壓和電流：確保所選二極管的額定電壓和電流滿足或超過應用中的最大工作電壓和電流要求。

3. 熱管理：考慮二極管的熱阻和工作環境溫度，以確保在連續工作條件下不會超過其最大結溫。

4. 封裝與布局：選擇適合應用需求的封裝形式，并優化PCB布局以減少熱阻和電磁干擾。

5. 成本效益：在滿足性能要求的前提下，考慮成本效益，選擇性價比最高的產品。

七、總結

MURS160T3G是安森美半導體生產的一款高性能超快恢復二極管，具有超快的反向恢復速度、高耐壓能力、低正向電壓降和高溫穩定性等特點。它廣泛應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器、電源管理以及工業自動化設備等領域。在選擇和使用MURS160T3G時，設計者需要綜合考慮其性能參數、設計要求和成本效益，以確保電路的穩定性和可靠性。通過合理的選型和設計優化，可以充分發揮MURS160T3G在高頻和高性能電路中的優勢，提升整體系統的性能和效率。