安森美BAT54HT1G肖特基二極管中文詳細資料

型號與類型

安森美（ON Semiconductor）的BAT54HT1G是一款廣泛應用的肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode），屬于小信號肖特基二極管類別。該型號的二極管以其獨特的性能和設計，廣泛應用于各種高速開關、電路保護和電壓箝位等場合。BAT54HT1G作為一種雙二極管（Dual Schottky Diode）器件，具有兩個獨立的Schottky二極管，能夠同時連接并保護兩個電路。

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：肖特基二極管

　　中文描述： 小信號肖特基二極管，單，30 V，200 mA，800 mV，600 mA，150°C

　　英文描述： Rectifier Diode Schottky 0.2A 5ns 2-Pin SOD-323 T/R

　　數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k02-24419166-BAT54HT1G.html

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　　BAT54HT1G概述

　　BAT54HT1G是一款肖特基勢壘二極管，設計用于高速開關應用，電路保護與電壓鉗位.極低的正向電壓降低了傳導損耗.小型表面安裝封裝非常適合用于空間有限的手持式和便攜式應用.

　　快速開關速度

　　低正向電壓

　　無鹵素

　　200mW器件總功耗

　　應用

　　電源管理，安全

　　BAT54HT1G中文參數

　　BAT54HT1G引腳圖

工作原理

肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode）的工作原理基于金屬與半導體之間的接觸勢壘。當金屬與N型半導體材料接觸時，由于兩者的功函數（即電子逸出功）不同，會在接觸界面形成一個勢壘，稱為肖特基勢壘。這個勢壘使得電子在正向偏置時能夠較容易地通過，而在反向偏置時則幾乎不能通過，從而實現了二極管的單向導電性。

BAT54HT1G作為肖特基二極管，其正向電壓非常低，這有助于降低傳導損耗，提高電路效率。同時，它的快速開關特性使得它能夠在高頻和快速開關應用中表現出色。在反向偏置時，BAT54HT1G能夠承受較高的反向電壓，從而保護電路免受反向電壓的損害。

特點

1. 極低的正向電壓：BAT54HT1G具有極低的正向電壓（典型值-0.35V @ IF=10mAdc），這大大降低了傳導損耗，提高了電路的效率。

2. 快速開關速度：肖特基二極管以其快速的開關速度著稱，BAT54HT1G也不例外。其極短的開關時間和反向恢復時間（如5ns的反向恢復時間）使得它非常適合于高頻和快速開關應用。

3. 微型表面安裝封裝：BAT54HT1G采用SOT-23或SOD-323封裝，這是一種小型表面貼裝封裝，尺寸為2.9mm x 1.3mm x 1.1mm（或類似尺寸），非常適合在空間有限的手持式和便攜式應用中使用。

4. 高溫工作能力：BAT54HT1G能夠在較高的溫度下正常工作，其工作溫度范圍可達-55°C至+150°C，這使得它在汽車電子、工業控制等高溫環境下具有廣泛的應用前景。

5. 低反向漏電流：BAT54HT1G具有低內部漏電流特性，這有助于在關閉狀態下減少電流泄漏，降低功耗，提高電路效率。

6. 符合RoHS標準：該器件不含鉛、無鹵素/BFR，符合RoHS標準，環保且安全。

應用

BAT54HT1G因其獨特的性能特點，在多個領域有著廣泛的應用：

1. 電源管理：在電源管理領域，如開關電源、逆變器、穩壓器等電路中，BAT54HT1G可以用作保護器件，防止過電壓或反向電流對電路造成損害。

2. 信號處理：在模擬信號處理、數字信號處理等電路中，BAT54HT1G可以用作信號級聯保護元件，防止信號干擾或損壞。

3. 通信設備：在各類通信設備中，如手機、無線路由器、通信基站等，BAT54HT1G可用于保護和限流，確保設備的正常工作。

4. 汽車電子：在汽車電子系統中，BAT54HT1G可用于防止車載電子設備受到車載電源電壓脈沖或反向電源的損害，確保汽車電子系統的穩定運行。

5. 工業控制：在工業控制領域，BAT54HT1G可用于各種需要快速開關和保護的電路，如電機驅動、傳感器接口等。

參數

以下是BAT54HT1G的主要技術參數：

• 封裝：SOT-23或SOD-323

• 針腳數：2

• 工作溫度范圍：-55°C至+150°C

• 正向電流最大值：200mA

• 正向電壓最大值：600mV（或800mV @ 100mA）

• 反向電壓最大值：30V

• 反向恢復時間：5ns

• 耗散功率：200mW

• 電容：10pF @ 1V, 1MHz

• 反向漏電流：2μA @ 25V

• 正向浪涌電流：600mA

• 安裝類型：表面貼裝型（SMD/SMT）

• RoHS：是

• 正向電壓（VF）：在指定的正向電流（如10mA）下，BAT54HT1G的正向電壓非常低，典型值約為0.35V。這一低正向電壓特性有助于減少在正向導通時的能量損耗，使得它在低功耗應用中尤為適合。

• 反向擊穿電壓（VBR）：BAT54HT1G能夠承受的反向電壓最大值為30V，這意味著在反向電壓不超過此值時，二極管將保持截止狀態，不會對電路產生不良影響。當反向電壓超過此值時，二極管可能會損壞或進入擊穿狀態，因此在實際應用中需注意反向電壓的限制。

• 反向漏電流（IR）：在反向偏置條件下，BAT54HT1G的漏電流非常小，典型值在25V反向電壓下為2μA。這一低漏電流特性有助于減少在反向截止狀態下的功耗，同時也有助于保護電路免受反向電流的損害。

• 開關時間：BAT54HT1G具有極快的開關時間，這包括開啟時間和關閉時間。其反向恢復時間特別短，僅為5ns左右，這使得它在高頻和快速開關應用中能夠迅速響應，減少信號失真和延遲。

• 熱阻（θJA）：熱阻是衡量器件散熱性能的一個重要參數。BAT54HT1G的熱阻值較低，這意味著它能夠更有效地將內部產生的熱量散發到周圍環境中，保持器件的工作溫度在正常范圍內。

• 靜態電容（Cj）：BAT54HT1G的結電容（Cj）是其在高頻應用中需要考慮的一個重要因素。結電容越小，器件在高頻下的性能越好。BAT54HT1G的結電容在1MHz頻率下約為10pF，這使得它在高頻電路中能夠表現出較好的性能。

• 封裝尺寸與重量：BAT54HT1G采用小型化的SOT-23或SOD-323封裝，尺寸緊湊且重量輕。這種封裝形式不僅便于在有限的空間內安裝，還有助于減少整個電子產品的體積和重量。

• 選型與替換

• 在選擇BAT54HT1G作為電路中的元器件時，需要根據具體的電路要求和應用場景來確定其是否滿足需求。如果電路中的電壓、電流、頻率等參數超出了BAT54HT1G的規格范圍，則需要考慮選擇其他型號的肖特基二極管或采用其他類型的二極管進行替換。

• 在替換過程中，需要注意以下幾點：

• 參數匹配：確保替換器件的主要電氣參數（如正向電壓、反向擊穿電壓、最大電流等）與原器件相匹配或更優。

• 封裝兼容性：檢查替換器件的封裝形式是否與原器件相同或兼容，以確保能夠順利安裝在電路板上。

• 環境適應性：考慮替換器件是否能夠在電路的工作環境中正常工作，包括溫度范圍、濕度條件等。

• 成本效益：在保證性能和質量的前提下，選擇成本更低的替換器件以提高產品的競爭力。

• 總結

• 安森美BAT54HT1G肖特基二極管以其極低的正向電壓、快速的開關速度、高溫工作能力以及小型化的封裝形式等特點，在電源管理、信號處理、通信設備、汽車電子和工業控制等多個領域得到了廣泛的應用。通過深入了解其工作原理、特點、應用以及技術參數等信息，我們可以更好地選擇和使用這款優秀的元器件，為電路的設計和優化提供有力支持。在未來的發展中，隨著電子技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，BAT54HT1G肖特基二極管將繼續發揮其獨特優勢，為電子行業的發展貢獻自己的力量。