ON安森美NTF2955T1G MOS管中文資料

一、型號及類型

NTF2955T1G是ON Semiconductor（安森美半導體）生產的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），具體為P溝道增強型MOSFET。這類器件在電子電路中廣泛應用，特別是在電源管理、電機控制和開關應用中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，P溝道，60 V，2.6 A，0.17 ohm，SOT-223，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R

數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k02-36654083-NTF2955T1G.html

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NTF2955T1G中文參數

NTF2955T1G概述

NTF2955T1G是一款P溝道功率MOSFET，可在雪崩模式和通信模式下承受高能量。

±20V柵源電壓

應用

電源管理，電機驅動與控制，工業

NTF2955T1G引腳圖

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于金屬-氧化物-半導體結構。其主要由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和體（Body）組成。在P溝道MOSFET中，柵極電壓控制著源極和漏極之間的電流流動。

• 開啟狀態：當柵極電壓低于源極電壓時（對P溝道來說，柵極電壓為負），MOSFET處于開啟狀態，電流可以從源極流向漏極。

• 關斷狀態：當柵極電壓高于源極電壓時（柵極電壓為正），MOSFET處于關斷狀態，源極和漏極之間沒有電流流動。

NTF2955T1G利用了這些基本原理，通過在柵極施加不同電壓，實現電流的開關和控制。

三、特點

NTF2955T1G MOSFET具有以下顯著特點：

1. 低導通電阻：這種MOSFET具有較低的導通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)），這意味著在導通狀態下，源極和漏極之間的電阻很小，從而減少了功率損耗，提高了效率。

2. 高輸入阻抗：MOSFET的柵極輸入阻抗極高，這使得它對控制信號的要求較低，能夠被微弱的電壓信號控制。

3. 高速開關：由于MOSFET沒有像雙極型晶體管（BJT）那樣的載流子存儲問題，它的開關速度非常快，適合高頻應用。

4. 耐高壓：NTF2955T1G能夠承受較高的漏源電壓（V $_{DS}$DS），這使得它適用于高壓應用場合。

四、應用

NTF2955T1G MOSFET廣泛應用于各種電子電路中，具體應用包括但不限于：

1. 電源管理：包括開關電源、DC-DC轉換器等，通過高效控制電流，實現電能的轉換和調節。

2. 電機控制：用于電動機驅動電路，通過快速開關控制電流，調節電機速度和方向。

3. 電池管理系統：用于電池充放電管理，保障電池的高效、安全運行。

4. 負載開關：作為電子負載開關使用，控制不同電路模塊的通斷。

5. 音頻放大器：在音頻功放電路中，MOSFET作為功率放大元件，提高音頻信號的驅動能力。

五、參數

以下是NTF2955T1G的一些關鍵參數：

• 最大漏源電壓（V $_{DS}$DS）：-60V

• 最大柵源電壓（V $_{GS}$GS）：±20V

• 最大漏極電流（I $_{D}$D）：-12A（連續）

• 最大功耗（P $_{D}$D）：2.0W（在 $T_{A}=25°C$TA=25°C）

• 導通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=?10V， $I_{D}=-7A$ID=?7A）

• 柵極電荷（Q $_{g}$g）：23nC（典型值，在 $V_{GS}=-10V$VGS=?10V， $V_{DS}=-30V$VDS=?30V）

• 跨導（g $_{fs}$fs）：9.0S（典型值，在 $I_{D}=-7A$ID=?7A， $V_{DS}=-15V$VDS=?15V）

• 結到環境熱阻（R $_{θJA}$θJA）：62.5°C/W

六、詳細分析

1. 最大漏源電壓（V $_{DS}$DS）：這一參數表示NTF2955T1G能夠承受的最大漏源電壓為-60V。這意味著在實際應用中，該MOSFET可以應用于最大電壓為60V的電路中而不會損壞。

2. 最大柵源電壓（V $_{GS}$GS）：±20V的最大柵源電壓表示該器件在工作時，柵極與源極之間的電壓不能超過這個范圍，否則可能會損壞柵極氧化層。

3. 最大漏極電流（I $_{D}$D）：-12A的漏極電流表明該MOSFET可以處理較大的電流，使其適合高功率應用。

4. 導通電阻（R $_{DS(on)}$DS(on)）：0.047Ω的低導通電阻表示當MOSFET導通時，其內阻很小，這有助于減少功率損耗，提高電路效率。

5. 柵極電荷（Q $_{g}$g）：23nC的柵極電荷表示柵極驅動所需的電荷量，較低的柵極電荷有助于提高開關速度，降低驅動功率。

七、實際應用實例

1. DC-DC轉換器：在DC-DC轉換器中，NTF2955T1G可以用作主開關管。其低導通電阻和快速開關特性能夠顯著提高轉換器的效率和響應速度。例如，在降壓轉換器（Buck Converter）中，NTF2955T1G的導通電阻低意味著導通時損耗小，從而提高了整體效率。

2. 電動機驅動：在電動機驅動電路中，NTF2955T1G常用作H橋電路中的開關管。它的高電流處理能力和高速開關特性使得它能夠有效控制電動機的啟停、速度和方向。

3. 電池保護電路：在鋰電池保護電路中，NTF2955T1G可以用作充放電控制開關。它的高耐壓特性能夠保障電池在高電壓工作狀態下的安全，低導通電阻減少了充放電過程中的功耗。

4. 音頻功率放大器：在高保真音頻功率放大器中，NTF2955T1G作為輸出級放大元件，利用其低導通電阻和高速開關特性，實現高效率的音頻信號放大，保證音質的純凈和清晰。

八、總結

ON安森美NTF2955T1G是一款性能優異的P溝道增強型MOSFET，憑借其低導通電阻、高輸入阻抗、快速開關速度和高耐壓等特點，在電源管理、電機控制、電池管理和音頻放大等多個領域得到了廣泛應用。其優異的性能參數和可靠性，使得它成為電子工程師在設計和開發高效電力電子系統時的重要選擇。