ON安森美BU406G雙極功率晶體管

ON安森美半導體（ON Semiconductor）是一家全球領先的半導體制造商，提供各種電子元器件及解決方案。BU406G是其生產的雙極功率晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）中的一個經典型號，主要用于高電壓、大電流場合。BU406G屬于NPN型功率晶體管，具有高耐壓、高電流的特點，適用于開關電源、音頻功放等高功率應用。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：三極管

中文描述： 單晶體管雙極，NPN，200 V，7 A，60 W，TO-220，通孔

英文描述： Bipolar Transistors-BJT 7A 200V 60W NPN

數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k02-24028936-BU406G.html

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BU406G概述

BU406G此雙極功率晶體管是一款電壓、高速晶體管，用于TV和CRT的水平偏轉輸出級。

特性

高電壓：V CEV=330或400 V

快速開關速度：t f=750 ns(最大值)

低飽和電壓：V CE(sat)=1 V(最大值) 5 A

采用緊湊型JEDEC TO-220AB封裝

提供無鉛封裝

BU406G中文參數

晶體管類型 NPN

最大集電極-發射極電壓 400 V 直流

封裝類型 TO-220

安裝類型 通孔

最大功率耗散 60 W

晶體管配置 單

最大發射極-基極電壓 6 V

引腳數目 3

每片芯片元件數目 1

BU406G引腳圖

型號類型

BU406G為NPN型雙極功率晶體管，其主要型號及后續系列包括：

• BU406：基礎型號，提供基本的功率開關功能。

• BU406D：帶有快速恢復二極管，提高了開關速度和效率。

• BU406G：增強型型號，具有更高的電壓和電流承受能力。

這些型號在性能參數上有所區別，以適應不同的應用場景和需求。

工作原理

雙極功率晶體管（BJT）的工作原理基于PN結的電子和空穴傳導特性。BU406G作為NPN型BJT，其結構包括一個P型基區夾在兩個N型區之間，分別為發射極（E）、基極（B）和集電極（C）。

基本原理

當基極B與發射極E之間施加正向偏壓（V_BE），P型基區的空穴與N型發射極的電子復合，形成電流流過發射極進入基極。與此同時，由于基極較薄且摻雜濃度低，大部分電子會在基區擴散并通過基區到達集電極形成集電極電流（I_C）。該過程由公式I_C ≈ βI_B描述，其中β是晶體管的電流增益。

當集電極C與發射極E之間施加正向電壓（V_CE）時，集電極電流進一步增強，實現電流的放大與控制。基于這一工作原理，BU406G可以在高壓大電流環境中高效工作，廣泛用于開關和放大電路中。

特點

BU406G晶體管具有以下顯著特點：

1. 高電壓耐受能力：集電極-發射極擊穿電壓（V_CEO）高達400V，適合高壓應用場合。

2. 大電流處理能力：最大集電極電流（I_C）為7A，能處理大電流負載。

3. 快速開關特性：具有較快的開關速度，適合高頻開關電路。

4. 高功率密度：晶體管能夠在小封裝內處理較高功率，提升電路集成度。

5. 穩健可靠：具有較高的熱穩定性和電流增益穩定性，確保長期穩定工作。

應用

由于其優異的電氣性能，BU406G廣泛應用于以下領域：

1. 開關電源：用于高效DC-DC轉換器和AC-DC電源中，提供穩定的電壓和電流輸出。

2. 音頻功放：在音頻功率放大器中用于驅動揚聲器，提供高質量的音頻輸出。

3. 電機控制：用于電動機驅動電路，實現電機的精確控制和調速。

4. 逆變器：在太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）中，用于轉換直流電為交流電。

5. 照明控制：在LED驅動電路中，實現高效的電能轉換和控制。

參數

BU406G的主要參數如下：

• 最大集電極-發射極電壓（V_CEO）：400V

• 最大集電極電流（I_C）：7A

• 最大基極電流（I_B）：3A

• 集電極-發射極飽和電壓（V_CE(sat)）：1.5V（典型值）

• 集電極功耗（P_C）：75W

• 電流增益（h_FE）：15-60

• 存儲時間（t_s）：1.2μs（典型值）

• 上升時間（t_r）：0.3μs（典型值）

總結

BU406G作為ON安森美推出的高性能NPN型雙極功率晶體管，憑借其高電壓、大電流、高功率密度和快速開關等特點，在開關電源、音頻功放、電機控制等領域得到了廣泛應用。其優越的電氣性能和穩定性使其成為高功率應用中的理想選擇。