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Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文資料

來源:
2024-07-03
類別:基礎(chǔ)知識
eye 15
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文資料

一、型號類型

IRLML2402TRPBF 是 Infineon 公司生產(chǎn)的一種 N 溝道功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。MOSFET 是一種常用于電子設(shè)備的半導(dǎo)體器件,因其高效能、高輸入阻抗和低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。

IRLML2402TRPBF圖片

廠商名稱:Infineon

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應(yīng)管,MOSFET,N通道,20 V,1.2 A,0.25 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: N-Channel MOSFET,1.2 A,20 V HEXFET,3-Pin SOT-23 Infineon

數(shù)據(jù)手冊:http://www.qoodd.com/data/k02-24423558-IRLML2402TRPBF.html

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IRLML2402TRPBF概述

IRLML2402PBF是一款N溝道HEXFET?功率MOSFET,開關(guān)損耗更低,可靠性更高。Infineon利用先進的加工技術(shù)實現(xiàn)了單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)點與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器件設(shè)計相結(jié)合,為設(shè)計者提供了用于各種應(yīng)用的極其高效和可靠的器件。

業(yè)界標準引腳排列

MSL1,消費產(chǎn)品認證

低輪廓(<1.1mm)

快速開關(guān)速度

超低導(dǎo)通電阻

IRLML2402TRPBF中文參數(shù)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-23-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-12 V,+12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Qg-柵極電荷:2.6 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+150 C

Pd-功率耗散:540 mW

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:4.8 ns

正向跨導(dǎo)-最小值:1.3 S

IRLML2402TRPBF引腳圖

image.png

二、工作原理

MOSFET 的基本工作原理是通過柵極(Gate)電壓來控制源極(Source)和漏極(Drain)之間的電流流動。具體來說,當柵極電壓超過閾值電壓(V_th)時,會在半導(dǎo)體材料中形成一個導(dǎo)電通道,從而允許電流從漏極流向源極。

IRLML2402TRPBF 作為一個增強型 N 溝道 MOSFET,當柵極電壓為正時,電子被吸引到柵極氧化層下方的溝道區(qū)域,形成一個 n 型導(dǎo)電通道,允許電流從漏極流向源極。此時,MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)。當柵極電壓低于閾值電壓時,導(dǎo)電通道消失,MOSFET 處于截止狀態(tài),漏源間沒有電流流過。

三、特點

IRLML2402TRPBF 具有以下幾個顯著特點:

  1. 低導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):其典型值為0.08Ω,意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,漏源之間的電阻非常低,從而減少了功率損耗和發(fā)熱。

  2. 高速開關(guān)性能:由于其低柵極電荷(Qg)和低延遲時間,IRLML2402TRPBF 可以在高頻率下快速切換,適用于高速開關(guān)應(yīng)用。

  3. 低柵極驅(qū)動電壓:其柵極驅(qū)動電壓范圍較寬,通常為2.5V至12V,方便與低電壓邏輯電路兼容。

  4. 增強型設(shè)計:該 MOSFET 設(shè)計為增強型,意味著在柵極電壓為0V時,器件處于關(guān)閉狀態(tài),具有更好的控制能力。

四、應(yīng)用

IRLML2402TRPBF 由于其高效能和低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少電能損耗。

  2. 電機驅(qū)動:在電機控制電路中作為開關(guān)元件,控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié)。

  3. 電源管理:用于各種便攜式電子設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的電源管理電路,優(yōu)化電源分配和節(jié)能。

  4. 負載開關(guān):在各種電子設(shè)備中用作負載開關(guān),控制電路的通斷。

  5. 邏輯電平轉(zhuǎn)換:在不同電壓邏輯電路之間進行電平轉(zhuǎn)換,確保電路正常工作。

五、參數(shù)

以下是 IRLML2402TRPBF 的主要技術(shù)參數(shù):

參數(shù)名稱數(shù)值單位備注
最大漏極電壓(V_DS)20V
最大柵極電壓(V_GS)±12V
漏極電流(I_D)3.3A@ V_GS = 10V
最大脈沖漏極電流(I_DM)10A
漏源導(dǎo)通電阻(R_DS(on))0.08Ω@ V_GS = 10V, I_D = 3.3A
柵極電荷(Qg)6.6nC@ V_GS = 4.5V
開通延遲時間(t_d(on))5ns@ V_DD = 10V, R_L = 10Ω
關(guān)斷延遲時間(t_d(off))18ns@ V_DD = 10V, R_L = 10Ω
功耗(P_D)0.8W
熱阻(結(jié)到環(huán)境)156°C/W
熱阻(結(jié)到引腳)125°C/W

這些參數(shù)反映了 IRLML2402TRPBF 在不同工作條件下的性能表現(xiàn),可以幫助工程師在設(shè)計電路時做出正確的選擇和判斷。

六、詳細分析

  1. 低導(dǎo)通電阻:低導(dǎo)通電阻是 MOSFET 的關(guān)鍵性能指標之一。IRLML2402TRPBF 的 R_DS(on) 值為 0.08Ω,意味著在器件導(dǎo)通時,電流通過的阻力非常小,從而減少了電能損耗和發(fā)熱。這對于要求高效能的應(yīng)用如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理電路尤其重要。

  2. 高速開關(guān)性能:該 MOSFET 具備較低的柵極電荷(Qg),在典型條件下為 6.6nC,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)。這使得 IRLML2402TRPBF 能夠在高頻率的電路中工作,例如開關(guān)電源和電機驅(qū)動中,提高整體系統(tǒng)的效率。

  3. 寬柵極驅(qū)動電壓范圍:IRLML2402TRPBF 支持 2.5V 至 12V 的柵極驅(qū)動電壓范圍,使其可以與多種邏輯電平兼容,特別是在低電壓邏輯電路中應(yīng)用時,非常便利。

七、應(yīng)用實例

  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用:在降壓轉(zhuǎn)換器中,IRLML2402TRPBF 可以作為高效開關(guān)元件,通過高速切換來調(diào)節(jié)輸出電壓,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

  2. 電機驅(qū)動電路:在電機控制電路中,IRLML2402TRPBF 通過其快速開關(guān)能力,實現(xiàn)對電機啟停和速度的精準控制,提升整體電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能。

  3. 便攜設(shè)備中的電源管理:在智能手機、平板電腦等便攜式設(shè)備中,IRLML2402TRPBF 作為負載開關(guān)或電源管理器件,能夠優(yōu)化電源分配,延長設(shè)備的電池壽命。

  4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換器:在不同電壓邏輯電路之間進行電平轉(zhuǎn)換時,IRLML2402TRPBF 通過其低柵極驅(qū)動電壓特性,實現(xiàn)平穩(wěn)的電平轉(zhuǎn)換,確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。

IRLML2402TRPBF 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,因其低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能和寬柵極驅(qū)動電壓范圍,被廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、電源管理和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。其優(yōu)異的性能和可靠性,使其在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中占據(jù)了重要地位。

責(zé)任編輯:David

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