安森美2N7002KT1G MOS管詳細介紹

安森美（ON Semiconductor）2N7002KT1G是一種N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其主要用于開關和放大器應用。MOSFET是一種電壓控制的電子開關，因其高速開關特性和低導通電阻而廣泛應用于各類電子電路中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，N溝道，60 V，380 mA，1.19 ohm，SOT-23，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

數據手冊：http://www.qoodd.com/data/k02-24422957-2N7002KT1G.html

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2N7002KT1G中文參數

2N7002KT1G概述

2N7002KT1G是一個N溝道小信號MOSFET，提供60V的漏極源極電壓和320mA的穩態漏極電流。它適用于低壓側負載開關，電平轉換電路，DC-DC轉換器，便攜式DSC和PDA應用。

低RDS(開啟)

表面貼裝

無鹵素

ESD保護

-55至150°C的工作結溫范圍

應用

便攜式器材，消費電子產品，電源管理，工業

工作原理

MOSFET的工作原理基于其三端結構：柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。N溝道增強型MOSFET的柵極與源極之間施加正電壓時，在半導體表面形成反型層，允許電子在漏極和源極之間導通。當柵極電壓超過閾值電壓（V_GS_th）時，形成導電通道，MOSFET進入導通狀態；當柵極電壓低于閾值電壓時，通道消失，MOSFET處于截止狀態。該器件的電流流動由漏極電壓（V_DS）和柵源電壓（V_GS）控制。

特點

2N7002KT1G MOS管具有以下特點：

1. 低導通電阻（R_DS(on)）：導通電阻低，減少了導通損耗，提高了效率。

2. 高開關速度：能夠快速切換，適合高頻應用。

3. 高輸入阻抗：柵極輸入阻抗高，減少了對前級驅動電路的負擔。

4. 低門極電荷（Qg）：柵極電荷低，降低了開關損耗和驅動功率需求。

5. 高可靠性：耐高電壓和高電流，能夠在惡劣環境下穩定工作。

應用

2N7002KT1G MOS管廣泛應用于以下領域：

1. 電源管理：用于DC-DC轉換器、開關電源和負載開關。

2. 電機驅動：用于控制電機的開關和調速。

3. 信號放大：在模擬電路中用于信號放大。

4. 開關電路：在數字電路中用于邏輯電平轉換和開關控制。

5. 保護電路：用于過壓保護和防反接保護。

參數

以下是2N7002KT1G的主要電氣參數和特性：

1. 漏源電壓（V_DS）：最大60V，這意味著該器件能承受的最大漏源電壓為60伏特。

2. 柵源電壓（V_GS）：最大±20V，指柵極和源極之間允許施加的最大電壓。

3. 漏極電流（I_D）：最大200mA，指漏極允許通過的最大電流。

4. 導通電阻（R_DS(on)）：最大值為2Ω（當V_GS=10V時），表明在導通狀態下的電阻值。

5. 閾值電壓（V_GS(th)）：在0.8V到3V之間，指MOSFET開始導通的柵源電壓。

6. 漏源擊穿電壓（BVDSS）：為60V，表示漏源間電壓超過此值時會發生擊穿。

7. 柵極電荷（Qg）：為2nC，指完全打開或關閉MOSFET所需的總柵電荷量。

8. 最大耗散功率（P_D）：為200mW，表示器件在規定條件下能夠耗散的最大功率。

9. 工作溫度范圍（T_J）：為-55°C至+150°C，指器件能夠正常工作的環境溫度范圍。

封裝與外觀

2N7002KT1G MOS管采用SOT-23封裝，具有小體積、高可靠性等特點。SOT-23封裝使其在電路板上占用空間小，適合高密度電路設計。

封裝的優點

1. 體積小：適合小型化電子設備。

2. 散熱性能好：良好的散熱性能，適合高功率應用。

3. 高可靠性：封裝技術成熟，穩定性高。

綜上所述，安森美2N7002KT1G是一款性能優異、應用廣泛的N溝道增強型MOSFET，憑借其低導通電阻、高開關速度和高可靠性，在各種電子設備中得到了廣泛應用。無論是在電源管理、電機驅動還是信號放大和保護電路中，2N7002KT1G都表現出色，是現代電子電路設計中不可或缺的重要元件。