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Infineon IRF530NPBF MOS管中文資料

來源:
2024-06-19
類別:基礎知識
eye 8
文章創建人 拍明芯城

英飛凌IRF530NPBF MOS管資料

一、型號與類型

IRF530NPBF是Infineon(英飛凌)公司推出的一款N溝道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)。MOSFET是一種避免電子電路中重要元器件缺陷,具有高輸入阻抗和快速開關速度的器件。

IRF530NPBF圖片

中文描述: 功率場效應管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述: N-Channel MOSFET,17 A,100 V HEXFET,3-Pin TO-220AB Infineon

數據手冊:http://www.qoodd.com/data/k02-24429425-IRF530NPBF.html

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IRF530NPBF概述

Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V單N溝道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封裝.該MOSFET具有極低的單位面積導通電阻,動態dv/dt額定值,堅固耐用,快速開關,以及完全雪崩認證.這些功率MOSFET具有極高的效率和可靠性,可用于多種應用.

漏極至源極電壓:100V

柵-源電壓:±20V

Vgs=10V時,導通電阻Rds(on)為90mohm

25°C功率耗散Pd:70W

Vgs 10V 25°C時,連續漏電流Id:17A

工作結溫范圍:-55°C至175°C

應用

電源管理,工業,便攜式器材,消費電子產品

IRF530NPBF中文參數

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝/箱體:TO-220-3

晶體管極性:N-Channel

通道數量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續漏極電流:17 A

Rds On-漏源導通電阻:90 mOhms

Vgs-柵極-源極電壓:-20 V,+20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:24.7 nC

最小工作溫度:-55 C

最大工作溫度:+175 C

Pd-功率耗散:79 W

通道模式:Enhancement

晶體管類型:1 N-Channel

1.1 N溝道MOSFET

IRF530NPBF屬于N溝道MOSFET,這意味著在導通時,電子作為主要的載流子從源極流向漏極。N溝道MOSFET的導通電阻較低,在大電流情況下性能優越,因此在大功率、高效率的開關電路中廣泛應用。

1.2 PBF后續說明

PBF表示“無鉛”(Pb-Free),表明該器件符合RoHS(有害物質限制)指令,即在制造過程中鉛及其他有害物質,符合環保要求。

二、工作原理

2.1 MOSFET基本原理

MOSFET通過柵極電壓控制導通與關斷。當在柵極電壓(G)和源極(S)之間施加正電壓時,N溝道MOSFET在漏極(D)和源極之間形成導電通道,使電流從漏極流向源極,MOSFET進入導通狀態;反之,當柵極電壓為零或負值時,導電通道消失,MOSFET進入關斷狀態。

2.2 IRF530NPBF的特性

IRF530NPBF的門限電壓(Vgs(th))通常為2V至4V之間,即柵極電壓達到該范圍時,MOSFET開始導通。其最大漏源電壓(Vds)為100V,最大連續漏極電流(Id)為17A,這些參數決定了它適用于中高電壓、大電流的場景。

三、特點

IRF530NPBF作為一款高性能的N溝道MOSFET,具有以下顯著特點:

3.1 低導通電阻

IRF530NPBF的導通電阻(Rds(on))僅為0.09Ω(最大值),低導通電阻意味著在工作過程中功率損耗小,效率高,發熱量低,有助于提高整個電路的可靠性和穩定性。

3.2 高速開關能力

MOSFET的開關速度取決于其頻率電容和驅動電路的能力。IRF530NPBF具有較低的頻率電容(典型值為370pF),使其能夠在高頻估算快速響應,適用于高頻開關電源和變頻器等應用。

3.3 高耐壓性

IRF530NPBF的漏源電壓(Vds)100V,使其能夠在較高電壓的應用程序安全工作中發揮作用,適用于電動汽車、太陽能逆變器等高壓系統。

3.4 寬溫度范圍

IRF530NPBF可以在-55°C至+175°C的寬溫度范圍內穩定工作,適應各種極端環境,提高了器件的應用靈活性。

四、應用

4.1 開關電源

IRF530NPBF常用于開關電源中的功率開關元件。由于其低導通電阻和高速開關能力,可以提高開關電源的轉換效率,減少熱損耗。

4.2 電機驅動

在電機驅動電路中,IRF530NPBF用于控制電機的停轉和轉速。其高電流處理能力和低導通電阻確保電機在高效、低溫狀態下運行。

4.3 啟示錄

逆變器將直流電接入交流電,避免光伏發電和不間斷電源系統中。IRF530NPBF作為逆變器中的關鍵功率器件,能夠承受該電壓和電流,確保系統的穩定運行。

4.4 功率放大器

在功率放大器中,IRF530NPBF可作為功率放大元件,提供大電流和高增益輸出,適用于音頻放大器、射頻放大器。

五、參數

5.1 絕對授權值

參數符號數字單位
漏源電壓電壓100
積極電壓±20
連續漏極電流(25°C)ID17A
脈沖漏極電流ID,脈沖68A
最大功耗(25°C)普托120西
工作結余溫和儲存溫度Tj、Tstg-55 至 +175攝氏度

5.2 電氣特性

參數符號最小值典型值投資單位
漏源擊穿電壓虛擬(BR)決策支持系統100--
漏極漏電流決策支持系統--二十五微安
擔心臨界點閾值電壓2.0-4.0
導通電阻導通電阻-0.0530.09Ω
緊張刺激質量-四十五-碳數
輸入電容西斯-370-毫微微法
輸出電容科斯-140-毫微微法
逆變電容韋斯特-60-毫微微法

5.3 熱特性

參數符號數字單位
熱阻(連接到外殼)韋斯特1.25攝氏度/瓦
熱阻(連接到環境)右心室62.5攝氏度/瓦

IRF530NPBF作為一款高性能的N溝道功率MOSFET,憑借其低導通電阻、高開關速度和高耐壓特性,在各種電子電路中得到了廣泛的應用。其優異的電氣和熱性能,確保在高效能和高可靠性要求的下載,能夠穩定工作,滿足各類功率轉換和控制電路的需求。

責任編輯:David

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