反向偏置（Reverse Bias）是指在PN結或半導體二極管中，將P區的引腳連接到電源的負極（或稱為“地”），而N區的引腳連接到電源的正極，從而在PN結上施加一個反向電壓的狀態。在反向偏置下，PN結的耗盡區（Depletion Region）會擴展，阻止電流的正向導通，但可能會允許一定的反向電流（Leakage Current）通過。

反向電流（Reverse Current）是在PN結或二極管處于反向偏置狀態下，從N區流向P區（或從P區流向N區，取決于偏置方向）的電流。在正常的反向偏置條件下，反向電流非常小，主要由少數載流子（即P區中的自由電子或N區中的空穴）的擴散形成。

對于反向電流，沒有一個固定的公式可以適用于所有情況，因為它受到多種因素的影響，如溫度、PN結的材料和制造工藝等。然而，在理想情況下，反向電流可以近似地表示為：

I_R = I_S * (e^(V_R / (n * V_T)) - 1)

其中：

• I_R 是反向電流

• I_S 是反向飽和電流（Saturation Current），是一個與PN結材料和溫度有關的常數

• V_R 是反向電壓

• n 是理想因子（Ideality Factor），通常接近于1，但在實際器件中可能有所不同

• V_T 是熱電壓（Thermal Voltage），與溫度有關，約為kT/q，其中k是玻爾茲曼常數，T是絕對溫度，q是電子電荷

這個公式是基于肖克萊二極管方程（Shockley Diode Equation）的近似形式，用于描述二極管在反向偏置下的電流-電壓關系。但請注意，這個公式主要用于理想二極管或低電流條件下的近似分析，對于實際的高功率或高溫應用，可能需要更復雜的模型和公式來描述反向電流的行為。