首先，從結構和工作原理上看，NPN晶體管放大器主要由三個端子組成：發射極、收集極和基極，以基極為控制中心，通過控制基極電壓來控制發射極和收集極之間的電流流動，實現信號的放大。而CMOS則是一種集成電路的設計工藝，它利用N型金屬氧化物半導體場效應晶體管（NMOS）和P型金屬氧化物半導體場效應晶體管（PMOS）的互補性，在硅質晶圓模板上制作出基本的元件。CMOS的特點是只有在晶體管需要切換啟動與關閉時才需消耗能量，因此非常節省電力且發熱量少。

其次，從應用角度來看，NPN晶體管放大器由于其高增益、快速響應等特性，廣泛用于電子產品的調節、監控和輸出，是基礎電路中不可或缺的元件。而CMOS則因其低功耗、高集成度等特性，在圖像傳感器、數字攝像頭等領域得到了廣泛的應用。此外，由于CMOS的工藝簡單、成本低廉，因此在現代電子系統中得到了廣泛的應用。

最后，從發展趨勢來看，隨著電子技術的不斷發展，NPN晶體管放大器和CMOS都在不斷地進行改進和優化。例如，通過改進晶體管的材料和結構，可以進一步提高其性能；同時，隨著集成電路技術的不斷發展，CMOS的集成度和性能也在不斷提高。

綜上所述，NPN晶體管放大器和CMOS在結構、工作原理、應用和發展趨勢等方面都存在顯著的區別。選擇使用哪種類型的器件取決于具體的應用需求和技術要求。