BT33單結晶體管的工作原理主要基于其獨特的結構和特性。這種單結晶體管具有兩個基極（B1、B2）和一個發射極（E），其內部設計使得它可以用作單級振蕩器電路，生成適合數字電路應用的脈沖信號。

在接通電源后，單結晶體管開始工作。當基極間加電壓UBB時，RB1上分得的電壓由分壓比決定，這個分壓比與管子結構有關，通常在0.5～0.9之間。隨著電壓的變化，當UE= UBB+UD時，單結晶體管內部的PN結開始導通，此時發射極電流IE會突然增大。這個突變點被稱為峰點P，對應的電壓UE和電流IE分別稱為峰點電壓UP和峰點電流IP。其中，UD為單結晶體管中PN結的正向壓降，一般取UD=0.7V。

在單結晶體管中PN結導通之后，從發射區（P區）向基極的電流開始流動。此時，單結晶體管展現出負阻特性，即發射極電流增加時，發射極電壓Ve反而減小。這一特性使得單結晶體管在電路中能夠產生特殊的動態效果。

在振蕩電路中，當電容通過電阻和可調電阻進行充電，其電壓逐漸升高，達到單結晶體管的峰點電壓時，單結晶體管開始導通。此時，電容通過單結晶體管和電阻放電，形成脈沖電壓。這個脈沖電壓可以作為可控硅的觸發信號，從而驅動后續電路的工作。

總的來說，BT33單結晶體管的工作原理主要依賴于其PN結的導通與截止，以及負阻特性在電路中的動態作用。這些特性使得單結晶體管在脈沖產生、振蕩電路等領域有著廣泛的應用。