有機場效應晶體管（Organic Field-Effect Transistor，簡稱OFET）的工作原理主要基于有機半導體材料的特性。這種晶體管的結構通常由襯底、柵極、介電層、有源層及源漏電極五部分組成。

在OFET中，柵極與介電層接觸的有源層之間通過介電層隔開，形成一個電容器結構。當在柵極上施加電壓（VGS）時，會在介電層附近的有源層內感應出電荷。這些電荷在介電層與有源層界面的導電溝道中積累，形成導電溝道。隨后，在源漏電極之間加上源漏電壓（VDS），感應電荷參與導電，使得半導體的電阻率相對于無柵極電壓時發生量級的變化。此時，載流子從源電極注入到有源層，通過導電溝道傳輸，最后從有源層流出到漏電極，從而在源、漏電極之間產生源漏電流（IDS）。

通過調節柵極上的電壓（VGS），可以調節平板電容器兩極板間的電場強度，進而改變半導體層中的感應電荷密度，從而控制源漏電流的大小。這種電場效應使得OFET具有電壓控制型器件的特性，具有輸入阻抗高、熱穩定性好、便于集成化等優點。

有機場效應晶體管的應用廣泛，尤其在需要大面積、柔性或低成本電子設備的領域，如顯示技術、傳感器、可穿戴設備以及有機電子電路等。與傳統的無機場效應晶體管相比，OFET的工藝簡單、成本低，而且可以通過優化有機分子的結構來改進器件的性能，這為未來的電子設備設計和制造提供了廣闊的空間。