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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN場效應管的介紹、特性、及應用
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化鎵(GaN)場效應管利用低導通電阻和高速開關來實現功率轉換效率和減小尺寸。高可靠性的GNP1 fet內置ESD保護和良好的散熱，便于安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。
特性
650V e型GaN場效應管
低ON電阻
高速開關
內置ESD保護
高度可靠的設計
有助于提高功率轉換效率和減小尺寸
良好的散熱性
通過無鉛認證
應用程序
高開關變頻器
高密度變換器
規范
GNP1070TC-Z
DFN8080K封裝樣式
7.3A至20A連續漏極電流范圍
24A至66A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態柵源電壓
+25℃時功耗56W
0.86歐姆典型柵極輸入電阻
200pF典型輸入電容
50pF典型輸出電容
44nC輸出電荷
5.2nC典型總柵極電荷
典型導通延遲時間5.9ns
典型上升時間為6.9ns
典型關斷延遲時間為8.0ns
8.7ns典型下降時間
GNP1150TCA-Z
DFN8080AK封裝樣式
5A至11A連續漏極電流范圍
17A至35A脈沖漏極電流范圍
漏源電壓650V
750V瞬態漏源電壓
-10V(DC)至+6V(DC)柵源電壓范圍
8.5V瞬態柵源電壓
+25℃時功耗62.5W
2.6歐姆典型柵極輸入電阻
112pF典型輸入電容
典型輸出電容為19pF
18.5nC輸出電荷
2.7nC典型總柵極電荷
典型導通延遲時間為4.7ns
5.3ns典型上升時間
典型關斷延遲時間為6.2ns
8.3ns典型下降時間
責任編輯：David
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