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D波段功率放大器提高功率
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NEC開發了一種基于GaAs的功率放大器，在150 GHz頻段實現了它認為的全球最高輸出功率10 mW。該器件采用可批量生產的砷化鎵技術構建，面向移動接入和前傳/回傳無線設備，為5G Advanced和6G網絡實現高速、高容量通信。
功率放大器設計采用市售的 0.1μm GaAs 偽晶態高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 工藝。與用于亞太赫茲頻段的CMOS和SiGe技術相比，GaAs pHEMT具有高工作電壓和較低的大規模生產初始成本。
這在110 GHz和150 GHz之間具有出色的高頻特性，以及GaAs pHEMT放大器的最高輸出功率。
NEC在本月的IEEE無線電和無線應用射頻/微波功率放大器專題會議(PAWR2023)上詳細介紹了放大器技術。
責任編輯：David
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