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onsemi SiC 技術增加單次充電的 EV 續航里程
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原標題：onsemi SiC 技術增加單次充電的 EV 續航里程
onsemi的SiC（碳化硅）技術在增加單次充電的電動汽車（EV）續航里程方面發揮了重要作用。以下是關于這一技術的詳細解釋和歸納：
SiC技術的優勢：
SiC作為一種寬禁帶半導體材料，在帶隙能量、擊穿場強、熱導率等參數方面具有顯著優勢。這些特性使得SiC系統能夠以更高的頻率運行而不損失輸出功率，從而優化系統效率。
SiC的優異熱導率允許更好的散熱性能，有助于減少散熱系統的體積和重量，進一步提升了系統的效率。
在EV中的應用：
在EV的主驅逆變器中，SiC技術可以顯著提高從DC到AC的電源轉換效率。這意味著車輛可以使用更小的電池來驅動更遠的距離，從而增加了續航里程。
SiC MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC二極管等SiC功率器件在EV的OBC（車載充電器）中也有廣泛應用。這些器件具有更低的導通損耗和開關損耗，有助于提高充電效率，縮短充電時間。
數字與實例：
使用SiC技術的OBC可以實現更快的充電速度。例如，通過EV充電站的高壓大電流充電方式（DC充電），SiC技術的OBC可以實現50kW的快速充電，充電時間縮短至30分鐘至60分鐘。
在高電壓（如900V及以上）的應用中，SiC MOSFET相較于傳統的Si MOSFET具有更低的成本和更好的性能。這使得SiC技術在三相11kW OBC等高端應用中具有廣闊的市場前景。
結論：
onsemi的SiC技術通過提高系統效率和優化散熱性能，顯著增加了EV的單次充電續航里程。隨著SiC技術的不斷發展和優化，未來EV的續航里程有望實現更大的提升。
責任編輯：David
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