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TP65H050G4BS 650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
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原標題：650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），它采用了表面貼裝封裝技術。以下是關于TP65H050G4BS 650V GaN FET的詳細信息和特點：
封裝類型：
TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封裝，這是一種行業標準封裝，特別適用于需要更高功率和表面貼裝封裝的應用。
電壓與導通阻抗：
這款FET的額定電壓為650V，典型導通阻抗為50mOhm。這意味著它在承受高電壓的同時，具有較低的導通電阻，從而提高了能效和功率密度。
認證與可靠性：
TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，證明了其高可靠性和穩定性。此外，它還具備Transphorm一流的可靠性、柵極穩健性（±20 Vmax）和抗硅噪聲閾值（4V）。
應用領域：
由于其高功率和優良的性能，TP65H050G4BS特別適用于數據中心和廣泛的工業應用。它賦能設計者和制造商開發通常用于數千瓦到幾千瓦系統的高功率系統。
技術特性：
作為Transphorm的第七款SMD（表面貼裝器件），TP65H050G4BS繼承了氮化鎵技術所具備的易設計性和驅動性能。它還具有出色的熱性能，可以幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。
配套產品與評估板：
TP65H050G4BS可以作為分立器件提供，也可以配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正（PFC）評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。此外，它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動多千瓦功率。
市場定位與優勢：
Transphorm作為高可靠性、高性能氮化鎵電源轉換產品的全球供應商，通過推出TP65H050G4BS，進一步擴大了其表面貼裝封裝產品系列，將SMD產品的可用性拓展至高功率領域。
綜上所述，TP65H050G4BS 650V GaN FET憑借其TO-263（D2PAK）封裝、650V額定電壓、50mOhm典型導通阻抗以及多項技術特性和優勢，成為了數據中心和廣泛工業應用中不可或缺的高性能組件。
參考：
責任編輯：David
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