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IXYS xt 200V X4超結功率mosfet的介紹、特性、及應用

來源: hqbuy
2022-06-23
類別:基礎知識
eye 20
文章創建人 拍明芯城

原標題:IXYS xt 200V X4超結功率mosfet的介紹、特性、及應用

IXYS xt 200V X4超結功率MOSFET是一款N溝道增強模式器件,具有以下特點:


  • 低導通電阻:R(DS(on))為10.6毫歐或13毫歐,能夠降低導通損耗,提高效率。

  • 高雪崩額定:具備雪崩級高功率密度,能夠承受高能量的雪崩擊穿,保證器件的可靠性。

  • 低封裝電感:有助于減少開關過程中的電壓尖峰和振鈴,提高系統的穩定性。

  • 高功率密度:可以在較小的封裝尺寸內實現高功率輸出,節省電路板空間。

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  • 容易安裝:采用TO-263或TO-220標準封裝風格,便于安裝和焊接。

  • 寬溫度范圍:工作溫度范圍為-55°C至+175°C,能夠適應各種惡劣的工作環境。


該MOSFET適用于開關模式和諧振模式電源、直流-直流轉換器、PFC電路、交流和直流電機驅動、機器人技術和伺服控制等領域。


責任編輯:David

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