功率MOSFET選型的幾點經驗


原標題:功率MOSFET選型的幾點經驗
功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)的選型是一個關鍵步驟,涉及到系統設計的多個方面。以下是根據參考文章整理的功率MOSFET選型的幾點經驗:
選擇N溝道還是P溝道:
N溝道MOSFET:型號多,成本低,導通電阻小,發熱量低,允許通過的電流大,應用場景廣泛。但如果S極連接端的電壓不是系統的參考地,則需要復雜的驅動電路,如浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動。
P溝道MOSFET:型號較少,成本高,但驅動簡單。
確定封裝類型:
考慮溫升和熱設計,選取封裝的基本原則是在保證MOSFET的溫升和系統效率的前提下,選擇參數和封裝更通用的型號。
還需考慮系統的結構尺寸限制、功耗或散熱需求,以及生產、裝配、維修的效率和便利性。
選取耐壓BVdss:
預留足夠的余量,因為VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss,即便只有短暫的時間,也可能導致MOSFET損壞。
考慮雪崩電壓通常發生在1.2~1.3倍的BVDSS,并且持續的時間較長。
選取Id電流:
Id電流代表MOSFET能流過的最大電流,超過這個值可能導致損壞。
考慮連續工作電流和電涌帶來的尖峰電流,確保MOSFET能夠承受最大電流值。
Id電流具有負溫度系數,高溫時電流值會降低,因此需要考慮高溫時的Id值。
選取柵極閾值電壓Vth:
Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時,柵極使用的電壓。
選擇時需要考慮電路需求和驅動電壓,不同電子系統可能需要不同閾值電壓的MOSFET。
閾值電壓越高,抗干擾性能越強,可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發。
考慮功率需求:
根據應用場景的功率需求確定MOSFET的耐壓和最大電流。大功率需求選擇大功率MOSFET,反之選擇小功率MOSFET。
考慮開關速度:
根據應用場景需要的開關速度,選擇MOSFET的恢復時間、開啟時間和關閉時間。
考慮溫度:
選擇能適應應用場景最高工作溫度的MOSFET。
考慮負載類型:
根據應用場景的負載類型選擇合適的MOSFET。例如,電阻性負載需要高電流的MOSFET,而電容性負載需要高速的MOSFET。
品牌和價格:
不同品牌的MOSFET在性能、可靠性和價格方面存在差異。選擇性價比較高的MOSFET。
綜上所述,功率MOSFET的選型需要綜合考慮多個因素,包括溝道類型、封裝類型、耐壓、電流、閾值電壓、功率需求、開關速度、溫度、負載類型以及品牌和價格等。通過仔細權衡這些因素,可以選擇到最適合特定應用場景的功率MOSFET。
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