原標題：東芝80 V UMOS-X功率mosfet的介紹、特性、及應用

東芝電子元件及存儲裝置株式會社推出的80 V UMOS-X功率MOSFET，是其產品線中的一款重要產品。這款產品采用了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，旨在為大電流、高散熱的車載應用提供高性能的解決方案。

特性

1. 低導通電阻：這款80 V UMOS-X功率MOSFET具有極低的導通電阻，例如某型號的RDS(ON)值為0.83mΩ（最大值）@VGS=10V，這有助于降低設備在工作時的功耗。

2. 高散熱設計：通過采用L-TOGL?封裝和銅夾片結構，以及與外部引腳通過厚銅框連接的方式，有效地降低了封裝電阻和結殼熱阻，提高了散熱性能。

3. 高可靠性：產品通過AEC-Q101認證，確保其在高應力、高可靠性要求的汽車應用中的穩定性和可靠性。

4. 高額定通道溫度：具有較高的通道溫度額定值，例如Tch=175℃，適用于高溫工作環境。

應用

1. 車載應用：這款80 V UMOS-X功率MOSFET特別適用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統和接線盒的負載開關以及半導體繼電器等車載應用。

2. 工業設備：除了車載應用外，它還可以用于數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源，以及電機控制設備（如電機驅動等）。

總結

東芝80 V UMOS-X功率MOSFET以其低導通電阻、高散熱設計、高可靠性以及高額定通道溫度等特性，在車載和工業設備等領域得到了廣泛應用。東芝作為半導體和存儲解決方案的領先供應商，通過不斷的技術創新和產品優化，為全球客戶提供高性能、高質量的半導體產品。