【技術大咖測試筆記系列】之九:新型SMU克服低電流容性設置的棘手測試挑戰


原標題:【技術大咖測試筆記系列】之九:新型SMU克服低電流容性設置的棘手測試挑戰
在電子測試領域,低電流容性設置常常給測試工程師帶來諸多挑戰,尤其是在使用長電纜或容性卡盤時,測試儀器輸出的電容會顯著提高,導致測量不準確或不穩定。針對這些挑戰,泰克科技旗下公司吉時利推出了兩款新型源測量單元(SMU)——Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU(選配4200-PA前置放大器),以克服這些難題。
一、挑戰背景
隨著設計人員不斷降低電流電平以節約能源,測量挑戰正不斷增長,特別是在大型LCD面板等設備的測試中。這些面板最終將用于智能手機或平板電腦中,而測試過程中可能需要使用長電纜或容性卡盤,從而增加了測試儀器的電容,導致測量不準確。
二、新型SMU的優勢
1. 高負載電容處理能力
與傳統的靈敏SMU相比,Keithley 4201-SMU和4211-SMU在支持的最低電流范圍上,可以供電和測量的系統電容要比當今系統高1000倍。例如,在電流電平為1~100 pA時,這兩款新型SMU可以處理高達1 μF(微法拉)的負載,而競品在此電流電平下通常只能容忍1000 pF的負載。
2. 穩定的弱電測量
即使在高測試連接電容的應用中,Keithley 4201-SMU和4211-SMU仍能進行穩定的弱電測量。這對于需要非常靈敏測量的應用場景,如納米FET I-V測量、MOSFET的傳遞特點測試、通過開關矩陣的FET測試以及電容器泄漏測量等,具有重大意義。
三、應用實例
1. 平板顯示器測試
在平板顯示器測試中,OLED像素驅動器電路的DC特點測量是一個重要環節。傳統SMU在連接長電纜(如12-16米長的三同軸電纜)進行測量時,常常會出現測量不穩定的情況。而使用Keithley 4211-SMU進行重復測量時,I-V曲線穩定,顯著提高了測量的準確性和可靠性。
2. 納米FET測試
納米FETs和2D FETs的測試也需要解決高電容連接問題。在測試過程中,卡盤的電容可能高達幾毫微法拉,且同軸電纜會增加額外的電容。使用傳統SMU進行測量時,得到的Id-Vg磁滯曲線常常伴有噪聲。而使用Keithley 4211-SMU進行測量時,得到的磁滯曲線平滑穩定,解決了研究人員長期面臨的主要問題。
四、升級與部署
Keithley 4201-SMU和4211-SMU既可以在訂購時預先配置到Keithley 4200A-SCS中,提供全面的參數分析解決方案;也可以在現有單元中現場升級,無需將儀器送回服務中心,從而節約了大量的時間和費用。
五、結論
Keithley 4201-SMU和4211-SMU的推出,為測試工程師和科研人員提供了強大的工具,以克服低電流容性設置帶來的測試挑戰。這兩款新型SMU以其高負載電容處理能力和穩定的弱電測量能力,在多個應用領域中展現了卓越的性能和可靠性。
責任編輯:David
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