原標題：英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

英飛凌確實推出了第二代高可靠非易失性SRAM（nvSRAM）。以下是對這款產品的詳細介紹：

一、產品概述

英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC在2021年4月1日宣布推出第二代非易失性靜態RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業規格的認證，支持苛刻環境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用，包括航天和工業應用。

二、產品規格

1. 容量：256 Kb（STK14C88C）和1 Mb（STK14CA8C）兩種規格。

2. 封裝：采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業標準（-40°C至85°C）。

3. 電壓：提供5V和3V兩個版本，支持航天、通信和導航系統以及工業高爐和鐵路控制系統的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲。

三、技術特點

1. 高可靠性：通過QML-Q和高可靠性工業規格的認證，適用于苛刻環境下的應用。

2. 非易失性：在斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中，該數據的保護期限超過20年。

3. 高性能：英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合，在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統的異步SRAM。

四、應用場景

1. 航天應用：適用于航天器的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲等應用。

2. 工業應用：適用于工業高爐、鐵路控制系統等需要高可靠性和非易失性存儲的場合。

3. 其他應用：還可用于通信和導航系統等領域。

五、市場意義

新一代nvSRAM的推出，擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。這些符合QML-Q規范的高可靠性工業用器件證明了英飛凌致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環境提供解決方案。

綜上所述，英飛凌推出的第二代高可靠非易失性SRAM具有顯著的技術優勢和廣泛的應用前景，將為用戶提供更加可靠、高效的存儲解決方案。