原標題：尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片問世！

尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片的問世，標志著Micro LED技術在小型化方面取得了重要突破。以下是對這一技術的詳細解析：

一、技術背景與突破

1. 技術背景：

• Micro LED技術是一種新型的顯示技術，具有自發光、高亮度、高對比度、低功耗和長壽命等優點。

• 紅光Micro LED芯片是Micro LED顯示技術中的關鍵組成部分，對于實現全彩顯示具有重要意義。

2. 技術突破：

• 美國加州大學圣塔芭芭拉分校（UCSB）的研究團隊首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片。

• 這一突破使得Micro LED芯片在尺寸上達到了新的高度，為Micro LED技術的商業化應用提供了更多可能性。

二、芯片特點與性能

1. 尺寸：

• 該紅光Micro LED芯片的尺寸小于10微米，這使得它能夠在更小的空間內實現更高的像素密度。

2. 材料：

• 芯片采用InGaN（氮化銦鎵）材料制成，這種材料具有寬帶隙可調、機械穩定性好和空穴擴散長度短等優點。

• 與傳統的AlGaInP（鋁鎵銦磷）材料相比，InGaN材料在小型化方面更具優勢。

3. 性能：

• 通過晶圓上量測得出，該紅光Micro LED芯片的外量子效率（EQE）為0.2%。雖然這一數值還遠低于商業化應用的要求（至少為2-5%），但研究團隊表示相關工作已進入初步階段，并預期未來將有實質性的進展。

三、技術挑戰與未來展望

1. 技術挑戰：

• 提高紅光Micro LED芯片的外量子效率是當前面臨的主要挑戰之一。只有當外量子效率達到足夠高的水平時，才能滿足Micro LED顯示器的要求。

• 此外，巨量轉移制程也是Micro LED技術發展的關鍵瓶頸之一。由于Micro LED芯片尺寸極小，如何實現高效、準確的巨量轉移是一個亟待解決的問題。

2. 未來展望：

• 隨著研究工作的不斷深入和技術的不斷進步，預計紅光Micro LED芯片的外量子效率將得到顯著提高。這將為Micro LED技術的商業化應用奠定堅實基礎。

• 同時，隨著新材料、新工藝和新技術的不斷涌現，Micro LED技術有望在更廣泛的領域得到應用和推廣。例如，在智能手機、AR眼鏡、4K電視等高端顯示領域，Micro LED技術有望帶來更加出色的顯示效果和用戶體驗。

綜上所述，尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片的問世是Micro LED技術在小型化方面取得的重要突破。雖然當前還面臨一些技術挑戰和難題，但隨著研究的不斷深入和技術的不斷進步，相信未來Micro LED技術將在更廣泛的領域得到應用和推廣。