原標題：意法半導體發布隔離式柵極驅動器，可安全控制碳化硅MOSFET

意法半導體發布的隔離式柵極驅動器，確實可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對該產品的詳細介紹：

一、產品概述

意法半導體推出的STGAP系列隔離式柵極驅動器，旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅動器的最新產品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源電壓高達1200V。

二、主要特性

1. 高電壓驅動能力：

• STGAP2SiCS能夠產生高達26V的柵極驅動電壓，將欠壓鎖定（UVLO）閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。

2. 電氣隔離：

• 在輸入部分和柵極驅動輸出之間設計有6kV電氣隔離，有助于確保消費電子和工業設備的用電安全。

3. 驅動能力：

• 具備4A吸電流/拉電流驅動能力，適用于高端家用電器、工業驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機、UPS不間斷電源等設備的高功率變換器、電源和逆變器。

4. 輸出配置：

• 提供兩種不同的輸出配置。一種配置是提供獨立的輸出引腳，可使用專用的柵極電阻獨立優化通斷時間。另一種配置適用于高頻硬開關，只有一個輸出引腳和有源米勒鉗位電路，米勒鉗位用于限制SiC MOSFET柵極-源極電壓擺動，防止開關不必要導通，并增強開關的可靠性。

5. 邏輯電平兼容性：

• 輸入電路兼容更低3.3V的CMOS/TTL邏輯電平信號，可以輕松地連接各種控制器芯片。

6. 保護功能：

• 具有待機模式，有助于降低系統功耗。同時，具有內部保護功能，包括可防止低壓部分和高壓驅動通道交叉導通的硬件互鎖和熱關斷。

7. 傳播延遲：

• 低高壓電路之間的傳播延遲精確匹配，防止周期失真，較大程度地減少電能損耗。總傳播延遲小于75ns，精確的脈寬調制（PWM）控制支持高開關頻率。

8. 封裝：

• 采用寬體SO-8W封裝，在有限的面積內確保8mm的爬電距離。

三、應用場景

STGAP2SiCS系列針對SiC MOSFET的安全控制進行了專門優化，并可在高達1200V的高壓下工作，使其成為節能型電源系統、驅動器和控制裝置的絕佳選擇。從工業電動汽車充電系統到太陽能、感應加熱和汽車OBC DC-DC，STGAP2SiCS系列可簡化設計、節省空間并增強穩健性和可靠性。

四、技術優勢

1. 電氣隔離：

• 通過電氣隔離，確保輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間的安全隔離，提高系統的穩定性和可靠性。

2. 靈活配置：

• 提供多種輸出配置和參數調整選項，可根據具體應用場景進行優化，實現最佳功率轉換效率。

3. 高效能：

• 高效率的電源轉換和精確的PWM控制，有助于降低系統功耗并提高整體性能。

五、總結

意法半導體發布的隔離式柵極驅動器STGAP2SiCS，以其高電壓驅動能力、電氣隔離、強大的驅動能力、靈活的輸出配置、邏輯電平兼容性、內部保護功能以及精確的傳播延遲等特性，為碳化硅MOSFET的安全控制提供了優化解決方案。該產品在節能型電源系統、驅動器和控制裝置等領域具有廣泛的應用前景。