原標題：Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結構將取代FinFET

Nerissa Draeger博士確實提出了全包圍柵極（GAA）結構將取代鰭式場效應晶體管（FinFET）的觀點。以下是對這一觀點及其背景信息的詳細分析：

一、FinFET的局限性

FinFET在22nm節點的首次商業化，為晶體管制造帶來了顛覆性變革。與之前的平面晶體管相比，FinFET通過“鰭”與柵極三面接觸形成的通道，使得通道更容易控制。然而，隨著技術進步到3nm和5nm技術節點，FinFET面臨了諸多挑戰：

1. 驅動電流受限：隨著CMOS設計的發展，標準單元的軌道高度不斷降低，導致“鰭”的尺寸受到限制。基于5nm以下節點制造的單鰭器件將無法提供足夠的驅動電流。

2. 短溝道效應：雖然“鰭”的三面均受柵極控制，但仍有一側是不受控的。隨著柵極長度的縮短，短溝道效應變得更明顯，導致更多電流通過器件底部無接觸的部分泄露。

二、全包圍柵極（GAA）結構的優勢

全包圍柵極結構是一種經過改良的晶體管結構，其中通道的所有面都與柵極接觸。這種結構具有以下優勢：

1. 易于控制：GAA晶體管的通道更容易控制，因為所有面都與柵極接觸。

2. 載流能力強：與FinFET相比，GAA晶體管只需多垂直堆疊幾個納米薄片并讓柵極包裹通道，就能夠獲得更強的載流能力。

3. 連續縮放：GAA結構可以實現連續縮放，只需縮放納米薄片就可以調整獲得滿足特定性能要求的晶體管尺寸。

三、GAA晶體管的制造挑戰

盡管GAA晶體管具有諸多優勢，但其制造也面臨一些挑戰：

1. 結構復雜性：制造GAA晶體管需要先用Si和SiGe外延層交替構成超晶格，并作為納米薄片結構的基礎。之后需要將電介質隔離層沉入內部，并通過刻蝕去除通道的犧牲層。

2. 新材料需求：隨著技術進步和特征尺寸持續降低，GAA晶體管可能需要使用新的金屬材料，如鈷、釕、鉬、鎳和各種合金。

四、GAA結構取代FinFET的展望

根據Nerissa Draeger博士的觀點，GAA晶體管終將取代FinFET。GAA結構應該能夠適用于當前已經納入規劃的所有先進工藝節點。隨著技術進步和制造工藝的改進，GAA晶體管將逐漸克服其制造挑戰，并在未來成為主流晶體管結構。

綜上所述，Nerissa Draeger博士提出的全包圍柵極結構將取代FinFET的觀點是基于FinFET在先進工藝節點面臨的局限性和GAA結構的優勢。隨著技術進步和制造工藝的改進，GAA晶體管有望在未來成為主流晶體管結構。