原標題：意法半導體第二代SiC功率MOSFET實現更高轉換效率

意法半導體（ST）推出的第二代SiC功率MOSFET確實實現了更高的轉換效率，以下是對其詳細的分析：

一、產品特性

1. 極低的導通電阻（RDSon）：

• 單位面積上的導通電阻非常低，這有助于減少功率損耗，提高整體效率。

2. 優良的開關性能：

• 開關損耗在結溫范圍內幾乎沒有變化，這意味著在不同溫度下，MOSFET都能保持穩定的開關性能。

3. 寬電壓范圍：

• 額定擊穿電壓值從650V（SCTxN65G2）到1200V（SCTxN120G2），并延伸到1700V，滿足不同應用場景的需求。

4. 高溫工作能力：

• 工作結溫高達200°C，即使在高溫環境下也能保持優異的性能。

二、應用優勢

1. 減小功率級尺寸和重量：

• 由于SiC MOSFET具有更低的導通電阻和開關損耗，因此可以減小功率級的尺寸和重量，使設備更加緊湊。

2. 實現更高的功率密度：

• 更高的功率密度意味著在相同的體積內可以容納更多的功率，從而提高設備的性能。

3. 減小功率電路無源元件的尺寸和成本：

• 由于SiC MOSFET支持更高的開關頻率，因此可以減小相關的無源元件（如電感、電容等）的尺寸和成本。

4. 實現更高的系統效率：

• 更低的損耗意味著更高的系統效率，從而節省能源并減少運行成本。

5. 減輕熱設計限制：

• 由于SiC MOSFET具有優異的高溫工作能力，因此可以減輕熱設計限制，消除或減少散熱器的尺寸和成本。

三、實驗室測試與比較

ST的實驗室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET與硅IGBT的開關損耗。結果顯示，SiC MosFET具有更低的開關損耗，即使在高溫下也是如此。這使得轉換器或逆變器能夠在非常高的開關頻率下工作，從而進一步減小其無源元件的尺寸。

四、應用場景

第二代SiC功率MOSFET廣泛應用于電動汽車牽引電機、充電站等汽車應用中，以及太陽能發電機、電機驅動等工業應用中。此外，它們還適用于牽引電動機、太陽能逆變器、工廠自動化、電動機驅動、數據中心電源、工業電池充電器和不間斷電源等領域。

五、總結

意法半導體第二代SiC功率MOSFET以其極低的導通電阻、優良的開關性能、寬電壓范圍和高溫工作能力等特點，為電動汽車、工業應用等領域提供了高效、緊湊的解決方案。通過實驗室測試與實際應用的驗證，這些MOSFET確實實現了更高的轉換效率，為相關行業的發展做出了重要貢獻。