Diodes Incorporated 推出符合車用規范 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET


原標題:Diodes Incorporated 推出符合車用規范 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET
Diodes Incorporated推出的符合車用規范的3.3mm x 3.3mm封裝40V雙MOSFET(DMT47M2LDVQ)在汽車電子領域具有顯著優勢,以下從技術特性、應用場景、性能優勢和合規性等方面展開分析:
一、技術特性
封裝與集成度
采用3.3mm x 3.3mm緊湊型封裝,集成兩個n信道增強模式MOSFET,可替代兩個分立式MOSFET,大幅減少電路板空間占用。
集成化設計降低系統復雜度,簡化PCB布局,適用于空間受限的汽車電子應用。
電氣性能
低導通電阻:在10V的VGS和30.2A的ID條件下,RDS(ON)僅為10.9mΩ,顯著降低傳導損耗,提升電源轉換效率。
低柵極電荷:在10V的VGS和20A的ID條件下,典型柵極電荷為14.0nC,有效降低開關損耗,適用于高頻開關應用。
熱性能
采用高導熱效率的PowerDI? 3333-8封裝,結殼間熱阻(Rthjc)為8.43°C/W,熱管理性能優異,可開發出功率密度更高的終端產品。
二、應用場景
電動座椅控制
通過緊湊封裝和低導通電阻,實現高效電機驅動,減少熱量產生,提升系統可靠性。
先進駕駛輔助系統(ADAS)
適用于雷達、攝像頭等傳感器模塊的電源管理,滿足高集成度、低功耗需求。
無線充電與馬達控制
低導通電阻和低柵極電荷特性,有效降低傳導損耗和開關損耗,提升系統能效。
三、性能優勢
功率密度提升
相比分立式MOSFET方案,DMT47M2LDVQ可減少PCB面積,適用于高功率密度需求的汽車功能實現,如ADAS等。
能效優化
低RDS(ON)和低柵極電荷設計,顯著降低功率損耗,延長電池續航時間,適用于電動汽車和混合動力汽車。
四、合規性與可靠性
車規級認證
符合AEC-Q100 Grade 1等級規范,支持PPAP文件,滿足汽車行業嚴苛的質量和可靠性要求。
生產設施認證
在IATF 16949標準認證的生產設施中制造,確保產品的一致性和可追溯性。
責任編輯:David
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