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Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級,RDS(ON)和FOM達到業界出色水平,提高功率密度和效率

來源: 中電網
2020-10-29
類別:新品快報
eye 23
文章創建人 拍明

原標題:Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級,RDS(ON)和FOM達到業界出色水平,提高功率密度和效率

長江存儲致鈦NVMe 1TB版本SSD以PCIe 4.0技術為核心突破點,在速度、耐用性、兼容性及國產技術自主性方面表現突出,適合追求極致性能的用戶選擇。以下為具體分析:

性能突破:PCIe 4.0速度領跑

致鈦NVMe 1TB版本SSD(如Ti600系列)搭載PCIe 4.0接口,順序讀取速度高達7000MB/s,寫入速度達5000MB/s,相比PCIe 3.0產品實現翻倍提升。這一性能指標可大幅縮短大型文件傳輸、游戲加載及復雜計算任務的等待時間,滿足專業用戶對即時響應的需求。

架構與顆粒:Xtacking? 3D NAND創新

該產品采用長江存儲自主研發的Xtacking? 3D NAND閃存架構,通過優化芯片內部結構提升數據傳輸效率與存儲密度。同時,其QLC閃存顆粒在壽命與性能間實現平衡,滿足大容量存儲需求。此外,單面PCB設計適配輕薄設備,進一步擴展應用場景。

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耐用性與安全:數據保護雙保險

內置磨損均衡算法和錯誤糾正碼(ECC)技術,可延長SSD使用壽命并保障數據完整性。支持TRIM指令與SMART監控功能,用戶可實時掌握硬盤健康狀態,提前預防潛在故障。

兼容性與部署:即插即用無憂

采用標準M.2 2280規格,兼容主流支持PCIe 4.0的主板,適配最新游戲筆記本與高性能臺式機。安裝過程無需額外工具,支持快速部署,降低用戶升級門檻。

性價比與品牌:國產技術紅利釋放

作為長江存儲旗下高端存儲品牌,致鈦SSD在性能對標國際一線產品的同時,價格更具競爭力。其5年質保政策與國產自研技術背書,為用戶提供長期使用保障,推動國產存儲品牌市場份額提升。


責任編輯:David

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